onsemi PowerTrench Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 18 A 41 W, 8-Pin Leistung 33
- RS Best.-Nr.:
- 759-9550P
- Herst. Teile-Nr.:
- FDMC86102L
- Marke:
- onsemi
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme 20 Stück (auf Gurtabschnitt geliefert)*
CHF.33.82
Begrenzter Lagerbestand
- 1’160 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 20 - 198 | CHF.1.691 |
| 200 - 998 | CHF.1.46 |
| 1000 - 1998 | CHF.1.281 |
| 2000 + | CHF.1.176 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 759-9550P
- Herst. Teile-Nr.:
- FDMC86102L
- Marke:
- onsemi
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 18A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 100V | |
| Serie | PowerTrench | |
| Gehäusegröße | Leistung 33 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 39mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 15nC | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | ±20 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 41W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Länge | 3.3mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Breite | 3.3 mm | |
| Höhe | 0.75mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 18A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 100V | ||
Serie PowerTrench | ||
Gehäusegröße Leistung 33 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 39mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 15nC | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs ±20 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 41W | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Länge 3.3mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Breite 3.3 mm | ||
Höhe 0.75mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
N-Kanal-MOSFET PowerTrench®, 20 A bis 59,9 A, Fairchild Semiconductor
MOSFET-Transistoren, ON Semi
On Semi bietet ein umfangreiches Portfolio an MOSFET-Geräten, die Hochspannungs- (> 250 V) und Niederspannungstypen (< 250 V) umfassen. Die fortschrittliche Siliziumtechnologie bietet kleinere Matrizengrößen, in denen sie in diverse Industriestandard- und thermisch erweiterte Gehäuse integriert ist.
On Semi MOSFETs bieten eine überlegene Designzuverlässigkeit von reduzierten Spannungsspitzen und Überschwingen, einer niedrigeren Sperrschichtkapazität und einer umgekehrten Wiederherstellungsladung bis hin zur Beseitigung zusätzlicher externer Komponenten, um Systeme länger im Betrieb zu halten.
Verwandte Links
- onsemi PowerTrench N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 30 A 41 W, 8-Pin Leistung 33
- onsemi PowerTrench N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 100 A 41 W, 8-Pin Leistung 33
- onsemi PowerTrench N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 22 A 41 W, 8-Pin Leistung 33
- onsemi PowerTrench N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 18 A 41 W, 8-Pin MLP8
- onsemi PowerTrench N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 16 A 35 W, 8-Pin Leistung 33
- onsemi PowerTrench N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 30 A 54 W, 8-Pin Leistung 33
- onsemi PowerTrench N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 14 A 30 W, 8-Pin Leistung 33
- onsemi PowerTrench N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 80 A 54 W, 8-Pin Leistung 33