Infineon HEXFET N-Kanal, Oberfläche, Durchsteckmontage MOSFET 200 V / 182 A 556 W, 3-Pin TO-247AC

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RS Best.-Nr.:
258-3959
Herst. Teile-Nr.:
IRF200P222
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

182A

Drain-Source-Spannung Vds max.

200V

Gehäusegröße

TO-247AC

Serie

HEXFET

Montageart

Oberfläche, Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

6.6mΩ

Maximale Verlustleistung Pd

556W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

135nC

Durchlassspannung Vf

1.2V

Gate-Source-spannung max Vgs

20V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Automobilstandard

Nein

The Infineon MOSFET StrongIRFET is improved gate, avalanche and dynamic dv/dt ruggedness, it is fully characterized capacitance and avalanche SOA.

Enhanced body diode dv/dt and di/dt capability

Lead-free, RoHS compliant

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