Infineon HEXFET N-Kanal, Oberfläche, Durchsteckmontage MOSFET 200 V / 182 A 556 W, 3-Pin TO-247AC
- RS Best.-Nr.:
- 258-3958
- Herst. Teile-Nr.:
- IRF200P222
- Marke:
- Infineon
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- RS Best.-Nr.:
- 258-3958
- Herst. Teile-Nr.:
- IRF200P222
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 182A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 200V | |
| Serie | HEXFET | |
| Gehäusegröße | TO-247AC | |
| Montageart | Oberfläche, Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 6.6mΩ | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 556W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 135nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 182A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 200V | ||
Serie HEXFET | ||
Gehäusegröße TO-247AC | ||
Montageart Oberfläche, Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 6.6mΩ | ||
Maximale Verlustleistung Pd 556W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 135nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
The Infineon MOSFET StrongIRFET is improved gate, avalanche and dynamic dv/dt ruggedness, it is fully characterized capacitance and avalanche SOA.
Enhanced body diode dv/dt and di/dt capability
Lead-free, RoHS compliant
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