Infineon HEXFET Typ N-Kanal, SMD, Durchsteckmontage MOSFET 200 V / 182 A 556 W, 3-Pin TO-247AC
- RS Best.-Nr.:
- 258-3958
- Herst. Teile-Nr.:
- IRF200P222
- Marke:
- Infineon
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Stange mit 25 Stück)*
CHF.180.025
Lagerbestand aktuell unbekannt – Bitte versuchen Sie es später noch einmal
Stück | Pro Stück | Pro Stange* |
|---|---|---|
| 25 - 25 | CHF.7.201 | CHF.180.08 |
| 50 - 100 | CHF.6.848 | CHF.171.09 |
| 125 + | CHF.6.555 | CHF.163.87 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 258-3958
- Herst. Teile-Nr.:
- IRF200P222
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 182A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 200V | |
| Gehäusegröße | TO-247AC | |
| Serie | HEXFET | |
| Montageart | SMD, Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 6.6mΩ | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 135nC | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 556W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 182A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 200V | ||
Gehäusegröße TO-247AC | ||
Serie HEXFET | ||
Montageart SMD, Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 6.6mΩ | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 135nC | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 556W | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Infineon MOSFET StrongIRFET hat eine verbesserte Gate-, Avalanche- und dynamische dv/dt-Robustheit, er ist vollständig charakterisiert für Kapazität und Avalanche-SOA.
Verbesserte Gehäuse-Diode dv/dt und di/dt-Fähigkeit
Bleifrei, RoHS-konform
Verwandte Links
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal, SMD, Durchsteckmontage MOSFET 200 V / 182 A 556 W, 3-Pin TO-247AC
- Infineon HEXFET N-Kanal, THT MOSFET 55 V / 64 A 140 W, 3-Pin TO-247AC
- Infineon HEXFET, SMD MOSFET 250 V / 128 A TO-247AC
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 300 V / 70 A 517 W, 3-Pin TO-247AC
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage Leistungs-MOSFET Erweiterung 75 V / 350 A 520 W, 3-Pin TO-247AC
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage Leistungs-MOSFET Erweiterung 150 V / 171 A 684 W, 3-Pin TO-247AC
- Infineon Einfach HEXFET Typ N-Kanal 1, Durchsteckmontage MOSFET 30 V Erweiterung / 210 A 3.8 W, 3-Pin TO-247AC
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal MOSFET / 185 A TO-220