Infineon Einfach HEXFET N-Kanal 1, Durchsteckmontage MOSFET 30 V Erweiterung / 210 A 3.8 W, 3-Pin TO-247AC

RS Best.-Nr.:: 913-3840
Herst. Teile-Nr.:: IRFP3703PBF
Marke:: Infineon

Infineon Einfach HEXFET N-Kanal 1, Durchsteckmontage MOSFET 30 V Erweiterung / 210 A 3.8 W, 3-Pin TO-247AC

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

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RS Best.-Nr.:: 913-3840
Herst. Teile-Nr.:: IRFP3703PBF
Marke:: Infineon

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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Transistor-Konfiguration	Einfach
	Serie	HEXFET
	Kabelkanaltyp	N
	Anzahl der Elemente pro Chip	1
	Montageart	Durchsteckmontage
	Produkt Typ	MOSFET
	Drain-Source-Spannung (Vds) max.	30 V
	Channel-Modus	Erweiterung
	kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)	210 A
	Maximale Verlustleistung (Pd)	3.8 W
	Pinanzahl	3
	Gehäusegröße	TO-247AC
	Durchlassspannung (Vf)	1.3 V
	Höhe	20.3 mm
	Länge	15.9 mm
	Gate-Source-spannung max (Vgs)	-20 V, +20 V
	Maximale Betriebstemperatur	175 °C
	Betriebstemperatur min.	-55 °C
	Breite	5.3 mm

	Alle auswählen
	Marke Infineon
	Transistor-Konfiguration Einfach
	Serie HEXFET
	Kabelkanaltyp N
	Anzahl der Elemente pro Chip 1
	Montageart Durchsteckmontage
	Produkt Typ MOSFET
	Drain-Source-Spannung (Vds) max. 30 V
	Channel-Modus Erweiterung
	kontinuierlicher Drainstrom max. (Id) 210 A
	Maximale Verlustleistung (Pd) 3.8 W
	Pinanzahl 3
	Gehäusegröße TO-247AC
	Durchlassspannung (Vf) 1.3 V
	Höhe 20.3 mm
	Länge 15.9 mm
	Gate-Source-spannung max (Vgs) -20 V, +20 V
	Maximale Betriebstemperatur 175 °C
	Betriebstemperatur min. -55 °C
	Breite 5.3 mm

Ursprungsland:: MX

Infineon HEXFET Series MOSFET, 210A Maximum Continuous Drain Current, 3.8W Maximum Power Dissipation - IRFP3703PBF

This high current MOSFET is essential for applications that require efficient power management. Its HEXFET technology ensures it meets performance criteria across various industrial and electronic uses. As an N-channel device, it provides substantial current handling and effective voltage control in robust and efficient semiconductor systems.

Features & Benefits

• Handles up to 210A continuous drain current

• Low on-resistance of 2.8mΩ minimises power losses

• Optimised for high-speed operations with quick turn-on and turn-off

• Single transistor configuration simplifies circuit design

Applications

• Used in power management systems for efficient switching

• Applied in synchronous rectification to enhance energy conversion

• Integrated in industrial automation equipment for dependable operation

• Utilised in power supplies requiring high efficiency and minimal heat generation

• Suitable for automotive needing durable components

What type of applications is this device best suited for?

This device excels in power management, particularly in synchronous rectification and industrial automation, owing to its high current handling and voltage capabilities.

How does the high continuous drain current affect performance?

The ability to manage 210A continuously allows for efficient energy transfer while reducing heat generation, thereby improving overall performance and reliability.

What are the implications of the low on-resistance?

A low on-resistance of 2.8mΩ greatly diminishes power losses during operation, enhancing efficiency and aiding in thermal management under high-load conditions.

What operating temperature range can this device handle?

It functions effectively over a wide temperature span from -55°C to +175°C, making it suitable for various demanding environments.

How does the MOSFET’s configuration improve circuit design?

The single transistor configuration streamlines circuit layouts, reducing the number of required components while ensuring dependable operation in high-speed applications.