Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage Leistungs-MOSFET Erweiterung 150 V / 171 A 684 W, 3-Pin TO-247AC

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RS Best.-Nr.:
124-9020
Herst. Teile-Nr.:
IRFP4568PBF
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

Leistungs-MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

171A

Drain-Source-Spannung Vds max.

150V

Serie

HEXFET

Gehäusegröße

TO-247AC

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

5.9mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

1.3V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

151nC

Gate-Source-spannung max Vgs

±30 V

Maximale Verlustleistung Pd

684W

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Höhe

20.7mm

Normen/Zulassungen

No

Länge

15.87mm

Breite

5.31 mm

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
MX

Infineon HEXFET Serie MOSFET, 171A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom, 517W maximale Verlustleistung - IRFP4568PBF


Dieser N-Kanal-MOSFET ist für hohe Effizienz und gleichbleibende Leistung in verschiedenen elektronischen Schaltungen ausgelegt. Seine robusten Eigenschaften eignen sich für Power-Management- und Schaltanwendungen. Das TO-247AC-Gehäuse ermöglicht ein effektives Wärmemanagement und vereinfacht die Installation in Durchgangsloch-Konfigurationen.

Eigenschaften und Vorteile


• Verbesserte Erholungseigenschaften der Body-Diode verbessern die Zuverlässigkeit

• Niedriger Einschaltwiderstand minimiert Leistungsverluste im Betrieb

• Die maximale Verlustleistung von 517 W eignet sich für Anwendungen mit hohem Leistungsbedarf.

• Der weite Betriebstemperaturbereich von -55°C bis +175°C gewährleistet die Funktionalität in unterschiedlichen Umgebungen.

• Hervorragende Gate-Schwellenspannungen optimieren die Leistung bei Schaltvorgängen.

• Einzelne Transistorkonfiguration rationalisiert Schaltungsdesigns für einfache Anwendung

Anwendungsbereich


• Hocheffiziente Synchrongleichrichtung

• Unterbrechungsfreie Stromversorgungen für ein zuverlässiges Backup

• Hochgeschwindigkeits-Leistungsschaltkreise

• Geeignet für hart geschaltete und hochfrequente

Wie hoch ist der maximale Dauerstrom, den dieses Gerät aufnehmen kann?


Der Baustein unterstützt unter optimalen Bedingungen einen maximalen kontinuierlichen Drainstrom von 171 A.

Wie geht das Gerät während des Betriebs mit der Wärme um?


Mit einer maximalen Verlustleistung von 517 W ist das Gerät in der Lage, die im Betrieb entstehende Wärme effektiv zu bewältigen.

Wie hoch sind die typischen Gebührenanforderungen?


Die typische Gate-Ladung beträgt etwa 151 nC bei einer Gate-Source-Spannung von 10 V, was eine effiziente Schaltleistung gewährleistet.

Kann es extremen Temperaturschwankungen standhalten?


Ja, er arbeitet in einem Temperaturbereich von -55°C bis +175°C und ist damit für verschiedene Umgebungsbedingungen geeignet.

Synchroner Motorsteuerungs- und AC/DC-Gleichrichter-MOSFET, Infineon


Motorsteuerungs-MOSFET


Infineon bietet ein umfassendes Portfolio von robusten N-Kanal- und P-Kanal-MOSFET-Geräten für Anwendungen in der Motorsteuerung.

Synchrongleichrichter-MOSFET


Ein Sortiment von Synchrongleichrichter-MOSFET-Geräten für AC/DC-Netzteile entspricht dem Bedarf der Kunden nach höherer Leistungsdichte, kleinerer Größe, mehr Mobilität und flexiblerer Systeme.

MOSFET-Transistoren, Infineon


Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.

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