Infineon HEXFET N-Kanal, Durchsteckmontage Leistungs-MOSFET Erweiterung 75 V / 355 A 517 W, 3-Pin TO-247
- RS Best.-Nr.:
- 879-3325
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFP7718PBF
- Marke:
- Infineon
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- RS Best.-Nr.:
- 879-3325
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFP7718PBF
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | Leistungs-MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 355A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 75V | |
| Gehäusegröße | TO-247 | |
| Serie | HEXFET | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 1.8mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 517W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 552nC | |
| Durchlassspannung Vf | 1.3V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | -20V, +20V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Länge | 15.87mm | |
| Höhe | 20.7mm | |
| Normen/Zulassungen | Lead-Free, RoHS | |
| Breite | 5.31mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ Leistungs-MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 355A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 75V | ||
Gehäusegröße TO-247 | ||
Serie HEXFET | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 1.8mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 517W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 552nC | ||
Durchlassspannung Vf 1.3V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs -20V, +20V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Länge 15.87mm | ||
Höhe 20.7mm | ||
Normen/Zulassungen Lead-Free, RoHS | ||
Breite 5.31mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
N-Channel Power MOSFET 60V to 80V, Infineon
The Infineon range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages. And form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range Benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.
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