Infineon HEXFET N-Kanal, THT MOSFET 75 V / 355 A 517 W, 3-Pin TO-247

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RS Best.-Nr.:
145-8890
Herst. Teile-Nr.:
IRFP7718PBF
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

355 A

Drain-Source-Spannung max.

75 V

Gehäusegröße

TO-247

Serie

HEXFET

Montage-Typ

THT

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand max.

1,8 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

3.7V

Gate-Schwellenspannung min.

2.1V

Verlustleistung max.

517 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

-20 V, +20 V

Länge

15.87mm

Transistor-Werkstoff

Si

Betriebstemperatur max.

+175 °C

Gate-Ladung typ. @ Vgs

552 nC @ 10 V

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Breite

5.31mm

Betriebstemperatur min.

–55 °C

Höhe

20.7mm

Diodendurchschlagsspannung

1.3V

Ursprungsland:
MX

N-Kanal-Leistungs-MOSFET, 60 V bis 80 V, Infineon


Die diskreten HEXFET® Leistungs-MOSFETs von Infineon umfasst N-Kanal-Geräte für Gehäuse für die Oberflächenmontage und mit Anschlussdrähten. Und Formfaktoren für fast jedes Platinenlayout und thermische Designherausforderung. Der über die gesamte Serie hinweg gesenkte Widerstand führt zu verringerten Leitungsverlusten, wodurch Entwickler einen optimalen Systemwirkungsgrad erzielen können.

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