Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 150 V / 171 A 517 W, 3-Pin AUIRFP4568 TO-247

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Herst. Teile-Nr.:
AUIRFP4568
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

171A

Drain-Source-Spannung Vds max.

150V

Gehäusegröße

TO-247

Serie

HEXFET

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

5.9mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

1.3V

Maximale Verlustleistung Pd

517W

Gate-Source-spannung max Vgs

30 V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

151nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

No

Höhe

5.31mm

Breite

20.7 mm

Länge

15.87mm

Automobilstandard

AEC-Q101

Das Infineon Design der HEXFET ® Leistungs-MOSFETs nutzt die neuesten Verarbeitungstechniken, um einen niedrigen Widerstand im eingeschalteten Zustand pro Siliziumfläche zu erreichen. Dieser Vorteil kombiniert mit der schnellen Schaltgeschwindigkeit und dem robusten Gerätedesign, für das HEXFET Leistungs-MOSFETs bekannt sind, bietet dem Entwickler ein äußerst effizientes und zuverlässiges Gerät für den Einsatz in der Automobilindustrie und einer Vielzahl anderer Anwendungen.

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Zweifach-N-Kanal-MOSFET mit niedrigem Betriebswiderstand

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