Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 150 V / 171 A 517 W, 3-Pin TO-247
- RS Best.-Nr.:
- 222-4612
- Herst. Teile-Nr.:
- AUIRFP4568
- Marke:
- Infineon
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- AUIRFP4568
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 171A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 150V | |
| Gehäusegröße | TO-247 | |
| Serie | HEXFET | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 5.9mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 151nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 517W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 30V | |
| Durchlassspannung Vf | 1.3V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Länge | 15.87mm | |
| Breite | 20.7mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Höhe | 5.31mm | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 171A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 150V | ||
Gehäusegröße TO-247 | ||
Serie HEXFET | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 5.9mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 151nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 517W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 30V | ||
Durchlassspannung Vf 1.3V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Länge 15.87mm | ||
Breite 20.7mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Höhe 5.31mm | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Das Infineon Design der HEXFET ® Leistungs-MOSFETs nutzt die neuesten Verarbeitungstechniken, um einen niedrigen Widerstand im eingeschalteten Zustand pro Siliziumfläche zu erreichen. Dieser Vorteil kombiniert mit der schnellen Schaltgeschwindigkeit und dem robusten Gerätedesign, für das HEXFET Leistungs-MOSFETs bekannt sind, bietet dem Entwickler ein äußerst effizientes und zuverlässiges Gerät für den Einsatz in der Automobilindustrie und einer Vielzahl anderer Anwendungen.
Fortschrittliche Planartechnologie
Zweifach-N-Kanal-MOSFET mit niedrigem Betriebswiderstand
Logikebenen-Gate-Antrieb
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