Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 150 V / 171 A 517 W, 3-Pin TO-247

RS Best.-Nr.:: 222-4611
Herst. Teile-Nr.:: AUIRFP4568
Marke:: Infineon

Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 150 V / 171 A 517 W, 3-Pin TO-247

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Stange mit 25 Stück)*

CHF.221.825

Auf Lager

1’075 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort

Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.

Stück	Pro Stück	Pro Stange*
25 - 25	CHF.8.873	CHF.221.71
50 - 100	CHF.8.421	CHF.210.63
125 +	CHF.8.075	CHF.201.76

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:: 222-4611
Herst. Teile-Nr.:: AUIRFP4568
Marke:: Infineon

Technische Daten

Mehr Infos und technische Dokumente

Rechtliche Anforderungen

Produktdetails

Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.

Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Kabelkanaltyp	Typ N
	Produkt Typ	MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	171A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	150V
	Serie	HEXFET
	Gehäusegröße	TO-247
	Montageart	Oberfläche
	Pinanzahl	3
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	5.9mΩ
	Channel-Modus	Erweiterung
	Gate-Source-spannung max Vgs	30 V
	Maximale Verlustleistung Pd	517W
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	151nC
	Durchlassspannung Vf	1.3V
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Maximale Betriebstemperatur	175°C
	Breite	20.7 mm
	Höhe	5.31mm
	Länge	15.87mm
	Normen/Zulassungen	No
	Automobilstandard	AEC-Q101

	Alle auswählen
	Marke Infineon
	Kabelkanaltyp Typ N
	Produkt Typ MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 171A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 150V
	Serie HEXFET
	Gehäusegröße TO-247
	Montageart Oberfläche
	Pinanzahl 3
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 5.9mΩ
	Channel-Modus Erweiterung
	Gate-Source-spannung max Vgs 30 V
	Maximale Verlustleistung Pd 517W
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 151nC
	Durchlassspannung Vf 1.3V
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Maximale Betriebstemperatur 175°C
	Breite 20.7 mm
	Höhe 5.31mm
	Länge 15.87mm
	Normen/Zulassungen No
	Automobilstandard AEC-Q101

Datasheet - AUIRFP4568

Das Infineon Design der HEXFET ® Leistungs-MOSFETs nutzt die neuesten Verarbeitungstechniken, um einen niedrigen Widerstand im eingeschalteten Zustand pro Siliziumfläche zu erreichen. Dieser Vorteil kombiniert mit der schnellen Schaltgeschwindigkeit und dem robusten Gerätedesign, für das HEXFET Leistungs-MOSFETs bekannt sind, bietet dem Entwickler ein äußerst effizientes und zuverlässiges Gerät für den Einsatz in der Automobilindustrie und einer Vielzahl anderer Anwendungen.

Fortschrittliche Planartechnologie

Zweifach-N-Kanal-MOSFET mit niedrigem Betriebswiderstand

Logikebenen-Gate-Antrieb

Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 150 V / 171 A 517 W, 3-Pin TO-247

Verwandte Links