Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 150 V / 171 A TO-247

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Herst. Teile-Nr.:
AUIRFP4568-E
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

171A

Drain-Source-Spannung Vds max.

150V

Gehäusegröße

TO-247

Serie

HEXFET

Montageart

Oberfläche

Drain-Source-Widerstand Rds max.

15mΩ

Durchlassspannung Vf

1.3V

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Dieser HEXFET-Leistungs-MOSFET von Infineon in Kfz-Qualität wurde speziell für Kfz-Anwendungen entwickelt und nutzt die neuesten Verarbeitungstechniken, um einen extrem niedrigen Widerstand im eingeschalteten Zustand pro Siliziumbereich zu erreichen. Zusätzliche Merkmale dieses Designs sind eine Betriebstemperatur von 175 °C, eine schnelle Schaltgeschwindigkeit und eine verbesserte Wiederholungs-Avalanche-Nennleistung. Diese Merkmale machen dieses Design zu einem äußerst effizienten und zuverlässigen Gerät für den Einsatz in Kfz-Anwendungen und einer Vielzahl anderer Anwendungen.

Erweiterte Planar-Technologie

Extrem niedriger Widerstand im eingeschalteten Zustand

Dynamische dv/dt-Nennleistung

Betriebstemperatur: 175 °C

Schnelles Schalten

Wiederholbare Avalanche Zulässig bis Tjmax

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