Vishay IRFL Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 690 mA 3.1 W, 4-Pin SOT-223
- RS Best.-Nr.:
- 815-2730
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFL9110TRPBF
- Marke:
- Vishay
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigenZwischensumme (1 Packung mit 10 Stück)*
CHF.6.36
Auf Lager
- 40 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
- Zusätzlich 700 Einheit(en) mit Versand ab 11. September 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 10 - 40 | CHF 0.636 | CHF 6.40 |
| 50 - 90 | CHF 0.626 | CHF 6.26 |
| 100 - 240 | CHF 0.545 | CHF 5.44 |
| 250 - 490 | CHF 0.515 | CHF 5.19 |
| 500 + | CHF 0.424 | CHF 4.22 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 815-2730
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFL9110TRPBF
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 690mA | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 100V | |
| Serie | IRFL | |
| Gehäusegröße | SOT-223 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 4 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 1.2Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 8.7nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 3.1W | |
| Durchlassspannung Vf | -5.5V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Höhe | 1.8mm | |
| Länge | 6.7mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Breite | 3.7mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 690mA | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 100V | ||
Serie IRFL | ||
Gehäusegröße SOT-223 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 4 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 1.2Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 8.7nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 3.1W | ||
Durchlassspannung Vf -5.5V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Höhe 1.8mm | ||
Länge 6.7mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Breite 3.7mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
P-Kanal MOSFET, 100 V bis 400 V, Vishay Semiconductor
MOSFET-Transistoren, Visahy Semiconductor
Verwandte Links
- Vishay IRFL Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 690 mA 3.1 W, 4-Pin SOT-223
- Vishay IRFL Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 1.5 A 3.1 W, 4-Pin SOT-223
- Vishay IRFL Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 2.7 A 3.1 W, 4-Pin SOT-223
- Vishay IRFL9014 Typ P-Kanal, Oberfläche Leistungs-MOSFET Erweiterung -60 V / -1.8 A 3.1 W, 4-Pin SOT-223
- Vishay IRLL Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 1.5 A 3.1 W, 4-Pin SOT-223
- Vishay IRFL210 Typ N-Kanal, Oberfläche Leistungs-MOSFET Erweiterung 200 V / 960 mA 3.1 W, 4-Pin SOT-223
- DiodesZetex Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 450 mA 200 mW, 4-Pin SOT-223
- DiodesZetex Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 310 mA 2 W, 4-Pin SOT-223