Microchip 2N7000 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 60 V / 200 mA 1 W, 3-Pin 2N7000-G TO-92
- RS Best.-Nr.:
- 177-9760
- Herst. Teile-Nr.:
- 2N7000-G
- Marke:
- Microchip
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- RS Best.-Nr.:
- 177-9760
- Herst. Teile-Nr.:
- 2N7000-G
- Marke:
- Microchip
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Microchip | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 200mA | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 60V | |
| Serie | 2N7000 | |
| Gehäusegröße | TO-92 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 5.3Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 1W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 30 V | |
| Durchlassspannung Vf | 0.85V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Höhe | 5.33mm | |
| Breite | 4.06 mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 5.08mm | |
| Distrelec Product Id | 304-38-475 | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Microchip | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 200mA | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 60V | ||
Serie 2N7000 | ||
Gehäusegröße TO-92 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 5.3Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 1W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 30 V | ||
Durchlassspannung Vf 0.85V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Höhe 5.33mm | ||
Breite 4.06 mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 5.08mm | ||
Distrelec Product Id 304-38-475 | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- TW
Microchip Technology MOSFET
Der durchkontaktierte N-Kanal-MOSFET von Microchip Technology ist ein neues Produkt mit einer Drain-Source-Spannung von 60 V und einer maximalen Gate-Source-Spannung von 30 V. Er hat einen Abflussquellen-Widerstand von 5 Ohm bei einer Gate-Source-Spannung von 10 V. Er hat einen kontinuierlichen Ableitungsstrom von 200 mA und eine maximale Verlustleistung von 1 W. Die minimale und maximale Treiberspannung für diesen MOSFET beträgt 4,5 V bzw. 10 V. Der MOSFET ist ein (normalerweise aus) MOSFET mit einer vertikalen DMOS-Struktur und einem bewährten Silizium-Gate-Herstellungsverfahren. Durch diese Kombination wird ein Gerät mit der Strombelastbarkeitsfähigkeiten von bipolaren Transistoren mit der hohen Eingangsimpedanz und dem positiven Temperaturkoeffizienten von MOS-Geräten erzielt. Dieses Gerät ist ein wichtiges Merkmal aller MOS-Strukturen und ist frei von thermischem Durchlaufen und thermisch induzierter sekundärer Zersetzung. Dieser vertikale DMOS-FET wurde für geringere Schalt- und Leitungsverluste optimiert. Der MOSFET bietet eine ausgezeichnete Effizienz und eine lange und produktive Lebensdauer ohne Kompromisse bei Leistung oder Funktionalität.
Eigenschaften und Vorteile
• Einfache Parallelschaltung
• Ausgezeichnete Temperaturstabilität
• frei von sekundärem Ausfall
• Hohe Eingangsimpedanz und hohe Verstärkung
• Integrierte Source-Drain-Diode
• Niedriger CISS und schnelle Schaltgeschwindigkeiten
• Geringe Anforderungen an das Laufwerk
• Betriebstemperaturbereiche zwischen -55 °C und 150 °C.
Anwendungen
• Verstärker
• Konverter
• Treiber: Relais, Hämmer, Magnete, Lampen, Speicher, Anzeigen, bipolare Transistoren usw.
• Motorsteuerungen
• Stromversorgungskreise
• Schalter
Zertifizierungen
• ANSI/ESD S20.20:2014
• BS EN 61340-5-1:2007
• JEDEC
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