onsemi 2N7000 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 60 V / 200 mA 400 mW, 3-Pin TO-92
- RS Best.-Nr.:
- 903-4074
- Herst. Teile-Nr.:
- 2N7000-D26Z
- Marke:
- onsemi
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Packung mit 100 Stück)*
CHF.20.00
Auf Lager
- 1’500 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
- Zusätzlich 1’900 Einheit(en) mit Versand ab 22. April 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 100 - 400 | CHF.0.20 | CHF.20.16 |
| 500 - 900 | CHF.0.168 | CHF.17.33 |
| 1000 + | CHF.0.147 | CHF.15.02 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 903-4074
- Herst. Teile-Nr.:
- 2N7000-D26Z
- Marke:
- onsemi
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 200mA | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 60V | |
| Gehäusegröße | TO-92 | |
| Serie | 2N7000 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 9Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Durchlassspannung Vf | 0.88V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 400mW | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Breite | 4.19 mm | |
| Höhe | 5.33mm | |
| Länge | 5.2mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 200mA | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 60V | ||
Gehäusegröße TO-92 | ||
Serie 2N7000 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 9Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Durchlassspannung Vf 0.88V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 400mW | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Breite 4.19 mm | ||
Höhe 5.33mm | ||
Länge 5.2mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
MOSFET mit erhöhter Leistung, Fairchild Semiconductor
Robuste Stoßentladungstechnologie
Robuste Gate-Oxide-Technologie
Niedrigere Eingangskapazität
Optimierte Gatterladung
MOSFET-Transistoren, ON Semi
On Semi bietet ein umfangreiches Portfolio an MOSFET-Geräten, die Hochspannungs- (> 250 V) und Niederspannungstypen (< 250 V) umfassen. Die fortschrittliche Siliziumtechnologie bietet kleinere Matrizengrößen, in denen sie in diverse Industriestandard- und thermisch erweiterte Gehäuse integriert ist.
On Semi MOSFETs bieten eine überlegene Designzuverlässigkeit von reduzierten Spannungsspitzen und Überschwingen, einer niedrigeren Sperrschichtkapazität und einer umgekehrten Wiederherstellungsladung bis hin zur Beseitigung zusätzlicher externer Komponenten, um Systeme länger im Betrieb zu halten.
Verwandte Links
- onsemi 2N7000 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 60 V / 200 mA 400 mW, 3-Pin TO-92
- Microchip 2N7000 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 60 V / 200 mA 1 W, 3-Pin TO-92
- onsemi Einfach BS170 Typ N-Kanal 1, Durchsteckmontage Kleinsignal-MOSFET 60 V N / 0.5 A 350 mW, 3-Pin TO-92
- onsemi N-Kanal, THT MOSFET 60 V / 200 mA 400 mW, 3-Pin TO-92
- onsemi BS270 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage Feldeffekttransistor Erweiterung 60 V / 400 mA 625 mW, 3-Pin TO-92
- onsemi BS170 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 60 V / 500 mA 830 mW, 3-Pin TO-92
- onsemi MGSF1 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 20 V / 750 mA 400 mW, 3-Pin SOT-23
- onsemi Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 20 V / 1 A 400 mW, 3-Pin SOT-23