onsemi BS170 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 60 V / 500 mA 830 mW, 3-Pin TO-92
- RS Best.-Nr.:
- 124-1745
- Herst. Teile-Nr.:
- BS170
- Marke:
- onsemi
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Beutel mit 1000 Stück)*
CHF.126.00
Bestandsabfrage aktuell nicht möglich
Stück | Pro Stück | Pro Beutel* |
|---|---|---|
| 1000 - 2000 | CHF.0.126 | CHF.128.10 |
| 3000 + | CHF.0.105 | CHF.103.95 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 124-1745
- Herst. Teile-Nr.:
- BS170
- Marke:
- onsemi
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 500mA | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 60V | |
| Serie | BS170 | |
| Gehäusegröße | TO-92 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 5Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 0.6V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 1.6nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 830mW | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Breite | 4.19 mm | |
| Höhe | 5.33mm | |
| Länge | 5.2mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 500mA | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 60V | ||
Serie BS170 | ||
Gehäusegröße TO-92 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 5Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 0.6V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 1.6nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 830mW | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Breite 4.19 mm | ||
Höhe 5.33mm | ||
Länge 5.2mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
N-Kanal-MOSFET, Anreicherungstyp, Fairchild Semiconductor
Feldeffekttransistoren im Erweiterungsmodus (FET) werden mit der proprietären DMOS-Technologie von Fairchild mit hoher Zelldichte hergestellt. Dieser hohe Verdichtungsprozess wurde für eine Minimierung des Durchlasswiderstands und die Bereitstellung robuster und zuverlässiger Leistung sowie schneller Schaltvorgänge konzipiert.
MOSFET-Transistoren, ON Semi
On Semi bietet ein umfangreiches Portfolio an MOSFET-Geräten, die Hochspannungs- (> 250 V) und Niederspannungstypen (< 250 V) umfassen. Die fortschrittliche Siliziumtechnologie bietet kleinere Matrizengrößen, in denen sie in diverse Industriestandard- und thermisch erweiterte Gehäuse integriert ist.
On Semi MOSFETs bieten eine überlegene Designzuverlässigkeit von reduzierten Spannungsspitzen und Überschwingen, einer niedrigeren Sperrschichtkapazität und einer umgekehrten Wiederherstellungsladung bis hin zur Beseitigung zusätzlicher externer Komponenten, um Systeme länger im Betrieb zu halten.
Verwandte Links
- onsemi BS170 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 60 V / 500 mA 830 mW, 3-Pin BS170 TO-92
- onsemi BS170 Typ N-Kanal 1, Durchsteckmontage MOSFET 60 V / 0.5 A 350 mW, 3-Pin TO-92 BS170-D27Z
- onsemi BS170 Typ N-Kanal 1, Durchsteckmontage Kleinsignal-MOSFET 60 V / 0.5 A 350 mW, 3-Pin TO-92 BS170-D75Z
- onsemi BS170 Typ N-Kanal 1, Durchsteckmontage MOSFET 60 V / 0.5 A 350 mW, 3-Pin TO-92
- onsemi BS170 Typ N-Kanal 1, Durchsteckmontage Kleinsignal-MOSFET 60 V / 0.5 A 350 mW, 3-Pin TO-92
- onsemi Einfach BS170 Typ N-Kanal 1, Durchsteckmontage Kleinsignal-MOSFET 60 V N / 0.5 A 350 mW, 3-Pin TO-92 BS170-D26Z
- onsemi Einfach BS170 Typ N-Kanal 1, Durchsteckmontage Kleinsignal-MOSFET 60 V N / 0.5 A 350 mW, 3-Pin TO-92
- onsemi 2N7000 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 60 V / 200 mA 400 mW, 3-Pin TO-92