onsemi Einfach BS170 Typ N-Kanal 1, Durchsteckmontage Kleinsignal-MOSFET 60 V N / 0.5 A 350 mW, 3-Pin TO-92
- RS Best.-Nr.:
- 186-8722
- Herst. Teile-Nr.:
- BS170-D26Z
- Marke:
- onsemi
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Packung mit 25 Stück)*
CHF.7.575
Auf Lager
- 550 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
- Zusätzlich 650 Einheit(en) mit Versand ab 30. März 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 25 - 75 | CHF.0.303 | CHF.7.49 |
| 100 - 225 | CHF.0.263 | CHF.6.46 |
| 250 - 475 | CHF.0.222 | CHF.5.61 |
| 500 - 975 | CHF.0.202 | CHF.4.93 |
| 1000 + | CHF.0.182 | CHF.4.46 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 186-8722
- Herst. Teile-Nr.:
- BS170-D26Z
- Marke:
- onsemi
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | Kleinsignal-MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 0.5A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 60V | |
| Serie | BS170 | |
| Gehäusegröße | TO-92 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 5Ω | |
| Channel-Modus | N | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | ±20 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 350mW | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Länge | 5.2mm | |
| Höhe | 5.33mm | |
| Breite | 4.19 mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ Kleinsignal-MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 0.5A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 60V | ||
Serie BS170 | ||
Gehäusegröße TO-92 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 5Ω | ||
Channel-Modus N | ||
Gate-Source-spannung max Vgs ±20 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 350mW | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Länge 5.2mm | ||
Höhe 5.33mm | ||
Breite 4.19 mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Automobilstandard Nein | ||
MOSFET, Kleinsignal, 500 mA, 60 V
Anwendungen
Dieses Produkt ist allgemein verwendbar und für viele verschiedene Anwendungen geeignet
Verwandte Links
- onsemi Einfach BS170 Typ N-Kanal 1, Durchsteckmontage Kleinsignal-MOSFET 60 V N / 0.5 A 350 mW, 3-Pin TO-92
- onsemi BS170 Typ N-Kanal 1, Durchsteckmontage Kleinsignal-MOSFET 60 V / 0.5 A 350 mW, 3-Pin TO-92
- onsemi BS170 Typ N-Kanal 1, Durchsteckmontage MOSFET 60 V / 0.5 A 350 mW, 3-Pin TO-92
- onsemi BS170 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 60 V / 500 mA 830 mW, 3-Pin TO-92
- onsemi 2N7000 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 60 V / 200 mA 400 mW, 3-Pin TO-92
- onsemi N-Kanal, THT MOSFET 60 V / 200 mA 400 mW, 3-Pin TO-92
- onsemi Durchsteckmontage Digitaler Transistor P-Kanal TO-92 3-Pin
- onsemi 2N7002K Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 300 mA 350 mW, 3-Pin SOT-23