onsemi N-Kanal, THT MOSFET 60 V / 200 mA 400 mW, 3-Pin TO-92

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Herst. Teile-Nr.:
2N7000TA
Marke:
onsemi
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Marke

onsemi

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

200 mA

Drain-Source-Spannung max.

60 V

Gehäusegröße

TO-92

Montage-Typ

THT

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand max.

5 Ω

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung min.

0.3V

Verlustleistung max.

400 mW

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

-30 V, +30 V

Transistor-Werkstoff

Si

Breite

4.19mm

Länge

5.2mm

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Höhe

5.33mm

Betriebstemperatur min.

-55 °C

N-Kanal-MOSFET, Anreicherungstyp, Fairchild Semiconductor


Feldeffekttransistoren im Erweiterungsmodus (FET) werden mit der proprietären DMOS-Technologie von Fairchild mit hoher Zelldichte hergestellt. Dieser hohe Verdichtungsprozess wurde für eine Minimierung des Durchlasswiderstands und die Bereitstellung robuster und zuverlässiger Leistung sowie schneller Schaltvorgänge konzipiert.

MOSFET-Transistoren, ON Semi


On Semi bietet ein umfangreiches Portfolio an MOSFET-Geräten, die Hochspannungs- (> 250 V) und Niederspannungstypen (< 250 V) umfassen. Die fortschrittliche Siliziumtechnologie bietet kleinere Matrizengrößen, in denen sie in diverse Industriestandard- und thermisch erweiterte Gehäuse integriert ist.

On Semi MOSFETs bieten eine überlegene Designzuverlässigkeit von reduzierten Spannungsspitzen und Überschwingen, einer niedrigeren Sperrschichtkapazität und einer umgekehrten Wiederherstellungsladung bis hin zur Beseitigung zusätzlicher externer Komponenten, um Systeme länger im Betrieb zu halten.

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