onsemi N-Kanal, THT MOSFET 60 V / 200 mA 400 mW, 3-Pin TO-92

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Herst. Teile-Nr.:
2N7000TA
Marke:
onsemi
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Marke

onsemi

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

200 mA

Drain-Source-Spannung max.

60 V

Gehäusegröße

TO-92

Montage-Typ

THT

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand max.

5 Ω

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung min.

0.3V

Verlustleistung max.

400 mW

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

-30 V, +30 V

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Länge

5.2mm

Transistor-Werkstoff

Si

Breite

4.19mm

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Höhe

5.33mm

Betriebstemperatur min.

-55 °C

MOSFET mit erhöhter Leistung, Fairchild Semiconductor


Robuste Stoßentladungstechnologie

Robuste Gate-Oxide-Technologie

Niedrigere Eingangskapazität

Optimierte Gatterladung

MOSFET-Transistoren, ON Semi


On Semi bietet ein umfangreiches Portfolio an MOSFET-Geräten, die Hochspannungs- (> 250 V) und Niederspannungstypen (< 250 V) umfassen. Die fortschrittliche Siliziumtechnologie bietet kleinere Matrizengrößen, in denen sie in diverse Industriestandard- und thermisch erweiterte Gehäuse integriert ist.

On Semi MOSFETs bieten eine überlegene Designzuverlässigkeit von reduzierten Spannungsspitzen und Überschwingen, einer niedrigeren Sperrschichtkapazität und einer umgekehrten Wiederherstellungsladung bis hin zur Beseitigung zusätzlicher externer Komponenten, um Systeme länger im Betrieb zu halten.

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