onsemi BS170 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 60 V / 500 mA 830 mW, 3-Pin BS170 TO-92
- RS Best.-Nr.:
- 671-4736
- Herst. Teile-Nr.:
- BS170
- Marke:
- onsemi
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Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | CHF.0.315 | CHF.3.13 |
| 100 - 240 | CHF.0.273 | CHF.2.70 |
| 250 - 490 | CHF.0.231 | CHF.2.33 |
| 500 + | CHF.0.21 | CHF.2.06 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 671-4736
- Herst. Teile-Nr.:
- BS170
- Marke:
- onsemi
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 500mA | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 60V | |
| Gehäusegröße | TO-92 | |
| Serie | BS170 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 5Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 1.6nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 0.6V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 830mW | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Höhe | 5.33mm | |
| Länge | 5.2mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Breite | 4.19 mm | |
| Distrelec Product Id | 304-43-724 | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 500mA | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 60V | ||
Gehäusegröße TO-92 | ||
Serie BS170 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 5Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 1.6nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 0.6V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 830mW | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Höhe 5.33mm | ||
Länge 5.2mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Breite 4.19 mm | ||
Distrelec Product Id 304-43-724 | ||
Automobilstandard Nein | ||
N-Kanal-MOSFET, Anreicherungstyp, Fairchild Semiconductor
Feldeffekttransistoren im Erweiterungsmodus (FET) werden mit der proprietären DMOS-Technologie von Fairchild mit hoher Zelldichte hergestellt. Dieser hohe Verdichtungsprozess wurde für eine Minimierung des Durchlasswiderstands und die Bereitstellung robuster und zuverlässiger Leistung sowie schneller Schaltvorgänge konzipiert.
MOSFET-Transistoren, ON Semi
On Semi bietet ein umfangreiches Portfolio an MOSFET-Geräten, die Hochspannungs- (> 250 V) und Niederspannungstypen (< 250 V) umfassen. Die fortschrittliche Siliziumtechnologie bietet kleinere Matrizengrößen, in denen sie in diverse Industriestandard- und thermisch erweiterte Gehäuse integriert ist.
On Semi MOSFETs bieten eine überlegene Designzuverlässigkeit von reduzierten Spannungsspitzen und Überschwingen, einer niedrigeren Sperrschichtkapazität und einer umgekehrten Wiederherstellungsladung bis hin zur Beseitigung zusätzlicher externer Komponenten, um Systeme länger im Betrieb zu halten.