onsemi BS170 N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 60 V / 500 mA 830 mW, 3-Pin TO-92
- RS Best.-Nr.:
- 671-4736
- Distrelec-Artikelnummer:
- 304-43-724
- Herst. Teile-Nr.:
- BS170
- Marke:
- onsemi
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt sichern
100 weitere Einheiten hinzufügen, um CHF 4.00 zu sparen
Mengenpreis-Optionen anzeigenZwischensumme (1 Packung mit 10 Stück)*
CHF 3.43
Auf Lager
- 90 Einheit(en) versandfertig
- Zusätzlich 3'040 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
- Zusätzlich 1'970 Einheit(en) mit Versand ab 11. November 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Packung* | Ihre Ersparnis |
|---|---|---|---|
| 10 - 90 | CHF 0.343 | CHF 3.46 | - |
| 100 - 240 | CHF 0.303 | CHF 2.98 | CHF 4.00 |
| 250 - 490 | CHF 0.263 | CHF 2.59 | CHF 20.00 |
| 500 + | CHF 0.222 | CHF 2.26 | CHF 60.50 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 671-4736
- Distrelec-Artikelnummer:
- 304-43-724
- Herst. Teile-Nr.:
- BS170
- Marke:
- onsemi
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 500mA | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 60V | |
| Gehäusegröße | TO-92 | |
| Serie | BS170 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 5Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 600mV | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 830mW | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 1.6nC | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | -20V, +20V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Länge | 5.2mm | |
| Höhe | 5.33mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Breite | 4.19mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 500mA | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 60V | ||
Gehäusegröße TO-92 | ||
Serie BS170 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 5Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 600mV | ||
Maximale Verlustleistung Pd 830mW | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 1.6nC | ||
Gate-Source-spannung max Vgs -20V, +20V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Länge 5.2mm | ||
Höhe 5.33mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Breite 4.19mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
N-Kanal-MOSFET, Anreicherungstyp, Fairchild Semiconductor
Feldeffekttransistoren im Erweiterungsmodus (FET) werden mit der proprietären DMOS-Technologie von Fairchild mit hoher Zelldichte hergestellt. Dieser hohe Verdichtungsprozess wurde für eine Minimierung des Durchlasswiderstands und die Bereitstellung robuster und zuverlässiger Leistung sowie schneller Schaltvorgänge konzipiert.
MOSFET-Transistoren, ON Semi
On Semi bietet ein umfangreiches Portfolio an MOSFET-Geräten, die Hochspannungs- (> 250 V) und Niederspannungstypen (< 250 V) umfassen. Die fortschrittliche Siliziumtechnologie bietet kleinere Matrizengrößen, in denen sie in diverse Industriestandard- und thermisch erweiterte Gehäuse integriert ist.
On Semi MOSFETs bieten eine überlegene Designzuverlässigkeit von reduzierten Spannungsspitzen und Überschwingen, einer niedrigeren Sperrschichtkapazität und einer umgekehrten Wiederherstellungsladung bis hin zur Beseitigung zusätzlicher externer Komponenten, um Systeme länger im Betrieb zu halten.
Verwandte Links
- onsemi BS170 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 60 V / 500 mA 830 mW, 3-Pin TO-92
- onsemi BS170 Typ N-Kanal 1, Durchsteckmontage MOSFET 60 V / 0.5 A 350 mW, 3-Pin TO-92
- onsemi BS170 Typ N-Kanal 1, Durchsteckmontage Kleinsignal-MOSFET 60 V / 0.5 A 350 mW, 3-Pin TO-92
- onsemi Einfach BS170 Typ N-Kanal 1, Durchsteckmontage Kleinsignal-MOSFET 60 V N / 0.5 A 350 mW, 3-Pin TO-92
- onsemi Isoliert PowerTrench Typ P-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 20 V Erweiterung / 830 mA 625 mW, 6-Pin SC-89
- onsemi 2N7000 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 60 V / 200 mA 400 mW, 3-Pin TO-92
- onsemi MMBF170L Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 500 mA 300 mW, 3-Pin SOT-23
- onsemi NDS352AP Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 900 mA 500 mW, 3-Pin SOT-23