onsemi Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 20 V / 1 A 400 mW, 3-Pin SOT-23
- RS Best.-Nr.:
- 163-2689
- Herst. Teile-Nr.:
- NTR1P02T1G
- Marke:
- onsemi
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- onsemi
Technische Daten
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 1A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 20V | |
| Gehäusegröße | SOT-23 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 180mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 400mW | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 2.5nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Höhe | 0.94mm | |
| Breite | 1.3 mm | |
| Länge | 2.9mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 1A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 20V | ||
Gehäusegröße SOT-23 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 180mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 400mW | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 2.5nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Höhe 0.94mm | ||
Breite 1.3 mm | ||
Länge 2.9mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
P-Kanal-Leistungs-MOSFET, 20 V, ON Semiconductor
MOSFET-Transistoren, ON Semiconductor
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