onsemi Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 20 V / 1.3 A 400 mW, 3-Pin SOT-23

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Herst. Teile-Nr.:
NTR1P02LT1G
Marke:
onsemi
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Marke

onsemi

Kabelkanaltyp

Typ P

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

1.3A

Drain-Source-Spannung Vds max.

20V

Gehäusegröße

SOT-23

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

350mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Maximale Verlustleistung Pd

400mW

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

3.1nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

No

Länge

3.04mm

Höhe

1.01mm

Automobilstandard

AEC-Q101

Diese Miniatur-MOSFETs für Oberflächenmontage mit geringem RDS(on) sorgen für minimale Verlustleistung und sparen Energie. Daher sind diese Geräte ideal für den Einsatz in raumpfindlichen Energieverwaltungsschaltkreisen. Typische Anwendungen dieser P-Kanal-MOSFETs sind DC/DC-Wandler und Energiemanagement in tragbaren und batteriebetriebenen Produkten wie Computern, Druckern, PCMCIA-Karten, Mobiltelefonen und schnurlosen Telefonen.

Low RDS(on) bietet höhere Effizienz und verlängert die Akkulaufzeit

Mini-SOT-23-SMD-Gehäuse spart Platz auf der Platine

Endprodukte

Computer

Drucker

PCMCIA-Karten

Mobiltelefone und schnurlose Telefone

Anwendungen

DC/DC-Wandler

Energieverwaltung in tragbaren und batteriebetriebenen Produkten

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