onsemi Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 20 V / 1.3 A 400 mW, 3-Pin SOT-23
- RS Best.-Nr.:
- 186-8957
- Herst. Teile-Nr.:
- NTR1P02LT1G
- Marke:
- onsemi
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigenZwischensumme (1 Packung mit 25 Stück)*
CHF.7.325
Auf Lager
- 1'575 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 25 - 75 | CHF 0.293 | CHF 7.37 |
| 100 - 225 | CHF 0.253 | CHF 6.36 |
| 250 - 475 | CHF 0.222 | CHF 5.54 |
| 500 - 975 | CHF 0.192 | CHF 4.85 |
| 1000 + | CHF 0.182 | CHF 4.42 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 186-8957
- Herst. Teile-Nr.:
- NTR1P02LT1G
- Marke:
- onsemi
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 1.3A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 20V | |
| Gehäusegröße | SOT-23 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 350mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 3.1nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 400mW | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 12V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Breite | 1.4mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Höhe | 1.01mm | |
| Länge | 3.04mm | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 1.3A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 20V | ||
Gehäusegröße SOT-23 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 350mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 3.1nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 400mW | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 12V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Breite 1.4mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Höhe 1.01mm | ||
Länge 3.04mm | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Diese Miniatur-MOSFETs für Oberflächenmontage mit geringem RDS(on) sorgen für minimale Verlustleistung und sparen Energie. Daher sind diese Geräte ideal für den Einsatz in raumpfindlichen Energieverwaltungsschaltkreisen. Typische Anwendungen dieser P-Kanal-MOSFETs sind DC/DC-Wandler und Energiemanagement in tragbaren und batteriebetriebenen Produkten wie Computern, Druckern, PCMCIA-Karten, Mobiltelefonen und schnurlosen Telefonen.
Low RDS(on) bietet höhere Effizienz und verlängert die Akkulaufzeit
Mini-SOT-23-SMD-Gehäuse spart Platz auf der Platine
Endprodukte
Computer
Drucker
PCMCIA-Karten
Mobiltelefone und schnurlose Telefone
Anwendungen
DC/DC-Wandler
Energieverwaltung in tragbaren und batteriebetriebenen Produkten
Verwandte Links
- onsemi Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 20 V / 1.3 A 400 mW, 3-Pin SOT-23
- onsemi PowerTrench Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 1.3 A 500 mW, 3-Pin SOT-23
- onsemi Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 20 V / 1 A 400 mW, 3-Pin SOT-23
- onsemi NTR0202PL Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 20 V / 400 mA 225 mW, 3-Pin SOT-23
- onsemi NDS331 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 20 V / 1.3 A 500 mW, 3-Pin SOT-23
- onsemi Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 20 V / 2.4 A 730 mW, 3-Pin SOT-23
- onsemi NDS352AP Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 900 mA 500 mW, 3-Pin SOT-23
- onsemi NDS0605 Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 180 mA 360 mW, 3-Pin SOT-23