onsemi BSS84 Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 50 V / 130 mA 250 mW, 3-Pin SOT-23

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

Alle MOSFET anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Rolle mit 3000 Stück)*

CHF.411.00

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Vorübergehend ausverkauft
  • Versand ab 13. Mai 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Rolle*
3000 - 3000CHF.0.137CHF.412.65
6000 - 12000CHF.0.137CHF.403.20
15000 +CHF.0.126CHF.390.60

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:
166-2408
Herst. Teile-Nr.:
BSS84
Marke:
onsemi
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

onsemi

Kabelkanaltyp

Typ P

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

130mA

Drain-Source-Spannung Vds max.

50V

Gehäusegröße

SOT-23

Serie

BSS84

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

10Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Betriebstemperatur min.

-65°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

0.9nC

Maximale Verlustleistung Pd

250mW

Durchlassspannung Vf

-1.2V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Länge

3mm

Normen/Zulassungen

No

Höhe

1mm

Breite

1.3 mm

Automobilstandard

AEC-Q200, AEC-Q100, AEC-Q101

P-Kanal-MOSFET im Erweiterungsmodus on Semiconductor


Die P-Kanal-MOSFETs der Serie ON Semiconductors werden mit der proprietären DMOS-Technologie von ON Semi mit hoher Zelldichte hergestellt. Dieser Prozess mit sehr hoher Dichte wurde entwickelt, um den Widerstand im eingeschalteten Zustand zu minimieren und eine robuste und zuverlässige Leistung für schnelles Schalten zu bieten.

Eigenschaften und Vorteile:


• Spannungsgesteuerter P-Kanal-Kleinsignalschalter

• Zelldesign mit hoher Dichte

• Hoher Sättigungsstrom

• Hervorragende Schaltleistung

• Große robuste und zuverlässige Leistung

• DMOS-Technologie

Anwendungen:


• Lastschaltung

• DC/DC-Wandler

• Batterieschutz

• Stromüberwachungssteuerung

• Gleichstrommotor-Steuerung

MOSFET-Transistoren, ON Semi


On Semi bietet ein umfangreiches Portfolio an MOSFET-Geräten, die Hochspannungs- (> 250 V) und Niederspannungstypen (< 250 V) umfassen. Die fortschrittliche Siliziumtechnologie bietet kleinere Matrizengrößen, in denen sie in diverse Industriestandard- und thermisch erweiterte Gehäuse integriert ist.

On Semi MOSFETs bieten eine überlegene Designzuverlässigkeit von reduzierten Spannungsspitzen und Überschwingen, einer niedrigeren Sperrschichtkapazität und einer umgekehrten Wiederherstellungsladung bis hin zur Beseitigung zusätzlicher externer Komponenten, um Systeme länger im Betrieb zu halten.

Verwandte Links