onsemi 2N7000 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 60 V / 200 mA 400 mW, 3-Pin TO-92

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RS Best.-Nr.:
184-4156
Herst. Teile-Nr.:
2N7000-D26Z
Marke:
onsemi
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Marke

onsemi

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

200mA

Drain-Source-Spannung Vds max.

60V

Serie

2N7000

Gehäusegröße

TO-92

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

Channel-Modus

Erweiterung

Maximale Verlustleistung Pd

400mW

Durchlassspannung Vf

0.88V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Länge

5.2mm

Breite

4.19 mm

Höhe

5.33mm

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
CN
Diese N-Kanal Small Signal MOSFETs werden mit der proprietären DMOS-Technologie von ON Semiconductor mit hoher Zelldichte hergestellt. Diese Produkte wurden entwickelt, um den Widerstand im eingeschalteten Zustand zu minimieren und bieten gleichzeitig eine robuste, zuverlässige und schnelle Schaltleistung. Sie können in den meisten Anwendungen eingesetzt werden, die bis zu 400 mA DC benötigen, und können gepulste Ströme bis zu 2 A liefern Diese Produkte eignen sich besonders für Niederspannungsanwendungen.

Spannungsgesteuerter Kleinsignalschalter

Stromkapazität für hohe Sättigung

Robust und zuverlässig

Hochdichtes Zelldesign für niedrigen RDS(ON)

Anwendungen

Kleine Servomotor-Steuerung

Leistungs-MOSFET-Gate-Treiber

Verschiedene Switching-Anwendungen

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