onsemi BS270 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage Feldeffekttransistor Erweiterung 60 V / 400 mA 625 mW, 3-Pin TO-92
- RS Best.-Nr.:
- 166-3593
- Herst. Teile-Nr.:
- BS270
- Marke:
- onsemi
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- 166-3593
- Herst. Teile-Nr.:
- BS270
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Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Produkt Typ | Feldeffekttransistor | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 400mA | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 60V | |
| Gehäusegröße | TO-92 | |
| Serie | BS270 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 2Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | ±20 V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 625mW | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Höhe | 4.7mm | |
| Breite | 3.93 mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 4.7mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Produkt Typ Feldeffekttransistor | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 400mA | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 60V | ||
Gehäusegröße TO-92 | ||
Serie BS270 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 2Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Source-spannung max Vgs ±20 V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 625mW | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Höhe 4.7mm | ||
Breite 3.93 mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 4.7mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
N-Kanal-MOSFET, Anreicherungstyp, Fairchild Semiconductor
Feldeffekttransistoren im Erweiterungsmodus (FET) werden mit der proprietären DMOS-Technologie von Fairchild mit hoher Zelldichte hergestellt. Dieser hohe Verdichtungsprozess wurde für eine Minimierung des Durchlasswiderstands und die Bereitstellung robuster und zuverlässiger Leistung sowie schneller Schaltvorgänge konzipiert.
MOSFET-Transistoren, ON Semi
On Semi bietet ein umfangreiches Portfolio an MOSFET-Geräten, die Hochspannungs- (> 250 V) und Niederspannungstypen (< 250 V) umfassen. Die fortschrittliche Siliziumtechnologie bietet kleinere Matrizengrößen, in denen sie in diverse Industriestandard- und thermisch erweiterte Gehäuse integriert ist.
On Semi MOSFETs bieten eine überlegene Designzuverlässigkeit von reduzierten Spannungsspitzen und Überschwingen, einer niedrigeren Sperrschichtkapazität und einer umgekehrten Wiederherstellungsladung bis hin zur Beseitigung zusätzlicher externer Komponenten, um Systeme länger im Betrieb zu halten.
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