Vishay TrenchFET Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 80 V / 46 A 73.5 W, 8-Pin SO-8

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RS Best.-Nr.:
228-2830
Herst. Teile-Nr.:
SI7469ADP-T1-RE3
Marke:
Vishay
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Marke

Vishay

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ P

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

46A

Drain-Source-Spannung Vds max.

80V

Gehäusegröße

SO-8

Serie

TrenchFET

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

19.3mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

73.5W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

42.7nC

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Höhe

1.12mm

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Der Vishay TrenchFET P-Kanal-Leistungs-MOSFET wird für Lastschalter, Batterie- und Stromüberwachungsanwendungen verwendet.

100 % Rg- und UIS-geprüft

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