Vishay TrenchFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 23.5 A 39 W, 8-Pin Si7454FDP-T1-RE3 SO-8

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228-2829
Herst. Teile-Nr.:
Si7454FDP-T1-RE3
Marke:
Vishay
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Marke

Vishay

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

23.5A

Drain-Source-Spannung Vds max.

100V

Serie

TrenchFET

Gehäusegröße

SO-8

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

29.5mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

17.4nC

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

39W

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

No

Höhe

1.12mm

Automobilstandard

Nein

Der Vishay TrenchFET N-Kanal-Leistungs-MOSFET wird für DC/DC-Primär-Seitenschalter, Telekommunikation/Server, Motorsteuerung und synchrone Gleichrichtung verwendet.

Leistungs-MOSFET TrenchFET Gen IV

Sehr niedriger RDS x Qg Leistungsfaktor (FOM)

Abgestimmt auf den niedrigsten RDS x Foss FOM

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