Vishay TrenchFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 23.5 A 39 W, 8-Pin SO-8
- RS Best.-Nr.:
- 228-2829
- Herst. Teile-Nr.:
- Si7454FDP-T1-RE3
- Marke:
- Vishay
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
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Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | CHF.0.851 | CHF.8.54 |
| 100 - 240 | CHF.0.767 | CHF.7.68 |
| 250 - 490 | CHF.0.651 | CHF.6.56 |
| 500 - 990 | CHF.0.557 | CHF.5.56 |
| 1000 + | CHF.0.515 | CHF.5.12 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 228-2829
- Herst. Teile-Nr.:
- Si7454FDP-T1-RE3
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 23.5A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 100V | |
| Gehäusegröße | SO-8 | |
| Serie | TrenchFET | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 29.5mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 39W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 17.4nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Höhe | 1.12mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 23.5A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 100V | ||
Gehäusegröße SO-8 | ||
Serie TrenchFET | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 29.5mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 39W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 17.4nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Höhe 1.12mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Vishay TrenchFET N-Kanal-Leistungs-MOSFET wird für DC/DC-Primär-Seitenschalter, Telekommunikation/Server, Motorsteuerung und synchrone Gleichrichtung verwendet.
Leistungs-MOSFET TrenchFET Gen IV
Sehr niedriger RDS x Qg Leistungsfaktor (FOM)
Abgestimmt auf den niedrigsten RDS x Foss FOM
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