Infineon BSZ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 60 V / 212 A 81 W, 8-Pin SuperSO8 5 x 6
- RS Best.-Nr.:
- 241-9681
- Herst. Teile-Nr.:
- BSZ040N06LS5ATMA1
- Marke:
- Infineon
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
50 weitere Einheiten hinzufügen, um CHF 9.60 zu sparen
Mengenpreis-Optionen anzeigenZwischensumme (1 Packung mit 5 Stück)*
CHF 10.61
- 6'850 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Stück | Pro Stück | Pro Packung* | Ihre Ersparnis |
|---|---|---|---|
| 5 - 45 | CHF 2.121 | CHF 10.61 | - |
| 50 - 120 | CHF 1.929 | CHF 9.65 | CHF 9.60 |
| 125 - 245 | CHF 1.798 | CHF 9.01 | CHF 40.37 |
| 250 - 495 | CHF 1.677 | CHF 8.37 | CHF 111.00 |
| 500 + | CHF 1.545 | CHF 7.75 | CHF 288.00 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 241-9681
- Herst. Teile-Nr.:
- BSZ040N06LS5ATMA1
- Marke:
- Infineon
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 212A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 60V | |
| Gehäusegröße | SuperSO8 5 x 6 | |
| Serie | BSZ | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.7mΩ | |
| Channel-Modus | N | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 80nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 81W | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Maximale Betriebstemperatur | +150°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 212A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 60V | ||
Gehäusegröße SuperSO8 5 x 6 | ||
Serie BSZ | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.7mΩ | ||
Channel-Modus N | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 80nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 81W | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Maximale Betriebstemperatur +150°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
MOSFET der BSZ-Serie von Infineon, 60 V maximale Drain-Source-Spannung, 212 A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom – BSZ040N06LS5ATMA1
Merkmale und Vorteile:
• 212 A kontinuierlicher Ablassstrom unterstützt hohe Stromlasten
• Maximale Verlustleistung von 81 W bewältigt thermische Belastungen in Arbeitszyklen
• Die Durchlassspannung von 1,2 V verbessert die Effizienz in synchrone Schaltkreisen
• Typische Gate-Ladung von 80 nC ermöglicht vorhersehbares Schaltverhalten
• 20-V-Gate-Schutz verhindert übermäßige Gate-Spannungen
Anwendungsbereich
• Ideal für synchrone DC/DC-Abwärtswandler
• Wird mit Motorantriebsstufen verwendet, die einen hohen Ablassstrom erfordern
• Kann für Server-Stromverteilungseinheiten verwendet werden
• Geeignet für allgemeine oberflächenmontierte Schaltvorgänge in Netzteilen
Welchen thermischen Bereich kann er während des Betriebs tolerieren?
Welches Gehäuse und Montageformat wird verwendet?
Welche Spannungsgrenzen gelten zwischen Drain und Quelle?
Wie hält das Gate Eingangstransienten stand?
Entspricht es den gängigen Umweltbeschränkungen?
Verwandte Links
- Infineon BSZ Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 40 V / 212 A 81 W, 8-Pin SuperSO8 5 x 6
- Infineon BSZ Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET & Diode N 40 V / 212 A 81 W, 8-Pin SuperSO8 5 x 6
- Infineon BSZ Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 40 V / 212 A 81 W, 8-Pin PQFN
- Infineon BSZ Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 40 V / 212 A 81 W, 8-Pin TSDSON-8 FL
- Infineon BSZ Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET P 40 V / 212 A 81 W, 8-Pin PQFN
- Infineon BSC0 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 40 V / 381 A 81 W, 8-Pin SuperSO8 5 x 6
- Infineon BSC Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 40 V / 381 A 81 W, 8-Pin SuperSO8 5 x 6
- Infineon BSC0 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 30 V / 381 A 81 W, 8-Pin SuperSO8 5 x 6
