IXYS HiperFET Typ N-Kanal, Panel MOSFET Erweiterung 1 kV / 24 A 568 W, 4-Pin IXFN24N100 SOT-227

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RS Best.-Nr.:
194-091
Herst. Teile-Nr.:
IXFN24N100
Marke:
IXYS
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Marke

IXYS

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

24A

Drain-Source-Spannung Vds max.

1kV

Serie

HiperFET

Gehäusegröße

SOT-227

Montageart

Panel

Pinanzahl

4

Drain-Source-Widerstand Rds max.

390mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

267nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

568W

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Durchlassspannung Vf

1.5V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

No

Länge

38.23mm

Höhe

9.6mm

Breite

25.42 mm

Automobilstandard

Nein

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