IXYS HiperFET, Polar Typ N-Kanal, Panel MOSFET Erweiterung 200 V / 115 A 680 W, 4-Pin SOT-227

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302-53-362
Herst. Teile-Nr.:
IXFN140N20P
Marke:
IXYS
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Marke

IXYS

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

115A

Drain-Source-Spannung Vds max.

200V

Gehäusegröße

SOT-227

Serie

HiperFET, Polar

Montageart

Panel

Pinanzahl

4

Drain-Source-Widerstand Rds max.

18mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

680W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

240nC

Durchlassspannung Vf

1.5V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Länge

38.23mm

Breite

25.42 mm

Höhe

9.6mm

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

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