IXYS HiperFET, Polar N-Kanal, Panel MOSFET Erweiterung 600 V / 72 A 1.04 kW, 4-Pin SOT-227

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RS Best.-Nr.:
168-4484
Herst. Teile-Nr.:
IXFN82N60P
Marke:
IXYS
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Marke

IXYS

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

72A

Drain-Source-Spannung Vds max.

600V

Gehäusegröße

SOT-227

Serie

HiperFET, Polar

Montageart

Panel

Pinanzahl

4

Drain-Source-Widerstand Rds max.

75mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Maximale Verlustleistung Pd

1.04kW

Gate-Source-spannung max Vgs

-30V, +30V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

1.5V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

240nC

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Höhe

9.6mm

Breite

25.07mm

Normen/Zulassungen

No

Länge

38.2mm

Automobilstandard

Nein

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