IXYS HiperFET, Polar N-Kanal, Panel MOSFET Erweiterung 500 V / 66 A 700 W, 4-Pin SOT-227

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302-53-378
Herst. Teile-Nr.:
IXFN80N50P
Marke:
IXYS
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Marke

IXYS

Kabelkanaltyp

N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

66A

Drain-Source-Spannung Vds max.

500V

Serie

HiperFET, Polar

Gehäusegröße

SOT-227

Montageart

Panel

Pinanzahl

4

Drain-Source-Widerstand Rds max.

65mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

30V

Durchlassspannung Vf

1.5V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

195nC

Maximale Verlustleistung Pd

700W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

No

Breite

25.07mm

Höhe

9.6mm

Länge

38.2mm

Automobilstandard

Nein

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