IXYS HiperFET, Polar N-Kanal, Panel MOSFET Erweiterung 500 V / 66 A 700 W, 4-Pin SOT-227

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RS Best.-Nr.:
920-0745
Herst. Teile-Nr.:
IXFN80N50P
Marke:
IXYS
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Marke

IXYS

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

66A

Drain-Source-Spannung Vds max.

500V

Gehäusegröße

SOT-227

Serie

HiperFET, Polar

Montageart

Panel

Pinanzahl

4

Drain-Source-Widerstand Rds max.

65mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

195nC

Maximale Verlustleistung Pd

700W

Gate-Source-spannung max Vgs

-30V, +30V

Durchlassspannung Vf

1.5V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

No

Breite

25.07mm

Höhe

9.6mm

Länge

38.2mm

Automobilstandard

Nein

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