IXYS Typ N-Kanal, Panel MOSFET Erweiterung 600 V / 40 A 625 W, 4-Pin IXFN48N60P SOT-227
- RS Best.-Nr.:
- 194-473
- Distrelec-Artikelnummer:
- 302-53-375
- Herst. Teile-Nr.:
- IXFN48N60P
- Marke:
- IXYS
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- 302-53-375
- Herst. Teile-Nr.:
- IXFN48N60P
- Marke:
- IXYS
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | IXYS | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 40A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 600V | |
| Gehäusegröße | SOT-227 | |
| Montageart | Panel | |
| Pinanzahl | 4 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 140mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 150nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 625W | |
| Durchlassspannung Vf | 1.5V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 30 V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 38.23mm | |
| Höhe | 9.6mm | |
| Breite | 25.42 mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Distrelec Product Id | 30253375 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke IXYS | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 40A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 600V | ||
Gehäusegröße SOT-227 | ||
Montageart Panel | ||
Pinanzahl 4 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 140mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 150nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 625W | ||
Durchlassspannung Vf 1.5V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 30 V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 38.23mm | ||
Höhe 9.6mm | ||
Breite 25.42 mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Distrelec Product Id 30253375 | ||
- Ursprungsland:
- KR
N-Kanal-Leistungs-MOSFET, IXYS HiperFET™ Serie Polar™
N-Kanal-Leistungs-MOSFETs mit Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™) von IXYS
MOSFET-Transistoren, IXYS
Eine Reihe von fortschrittlichen diskreten Leistungs-MOSFET-Geräten von IXYS
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