Microchip VN0300 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 30 V / 640 mA 1 W, 3-Pin TO-92

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

Alle MOSFET anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme 30 Stück (geliefert in Beutel)*

CHF.38.43

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • 810 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
30 - 90CHF.1.281
100 +CHF.1.155

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
177-9871P
Herst. Teile-Nr.:
VN0300L-G
Marke:
Microchip
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Microchip

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

640mA

Drain-Source-Spannung Vds max.

30V

Gehäusegröße

TO-92

Serie

VN0300

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

3.3Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

30 V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

1W

Durchlassspannung Vf

0.9V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

No

Breite

4.06 mm

Höhe

5.33mm

Länge

5.08mm

Automobilstandard

Nein

Distrelec Product Id

304-38-571

Ursprungsland:
TW

Microchip Technology MOSFET


Der durchkontaktierte N-Kanal-MOSFET von Microchip Technology ist ein neues Produkt mit einer Drain-Source-Spannung von 30 V und einer maximalen Gate-Source-Spannung von 30 V. Er hat einen Drain-Source-Widerstand von 1,2 Ohm bei einer Gate-Source-Spannung von 10 V. Er hat einen kontinuierlichen Ableitungsstrom von 640 mA und eine maximale Verlustleistung von 1 W. Die minimale und maximale Treiberspannung für diesen MOSFET beträgt 5 V bzw. 10 V. Der MOSFET ist ein (normalerweise aus) MOSFET mit einer vertikalen DMOS-Struktur und einem bewährten Silizium-Gate-Herstellungsverfahren. Durch diese Kombination wird ein Gerät mit der Strombelastbarkeitsfähigkeiten von bipolaren Transistoren mit der hohen Eingangsimpedanz und dem positiven Temperaturkoeffizienten von MOS-Geräten erzielt. Dieses Gerät ist ein wichtiges Merkmal aller MOS-Strukturen und ist frei von thermischem Durchlaufen und thermisch induzierter sekundärer Zersetzung. Dieser vertikale DMOS-FET wurde für geringere Schalt- und Leitungsverluste optimiert. Der MOSFET bietet eine ausgezeichnete Effizienz und eine lange und produktive Lebensdauer ohne Kompromisse bei Leistung oder Funktionalität.

Eigenschaften und Vorteile


• Einfache Parallelschaltung

• Ausgezeichnete Temperaturstabilität

• frei von sekundärem Ausfall

• Hohe Eingangsimpedanz und hohe Verstärkung

• Integrierte Source-Drain-Diode

• Niedriger CISS und schnelle Schaltgeschwindigkeiten

• Geringe Anforderungen an das Laufwerk

• Betriebstemperaturbereiche zwischen -55 °C und 150 °C.

Anwendungen


• Verstärker

• Konverter

• Treiber: Relais, Hämmer, Magnete, Lampen, Speicher, Anzeigen, bipolare Transistoren usw.

• Motorsteuerungen

• Stromversorgungskreise

• Schalter

Zertifizierungen


• ANSI/ESD S20.20:2014

• BS EN 61340-5-1:2007

• JEDEC

Verwandte Links