Infineon IGBT / 1600 A Halbbrücke, 1200 V 20 mW PrimePACKTM2 Typ N-Kanal Schraubanschlussklemme
- RS Best.-Nr.:
- 349-361
- Herst. Teile-Nr.:
- FF1600R12IP7BOSA1
- Marke:
- Infineon
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- 349-361
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- FF1600R12IP7BOSA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic | 1600A | |
| Produkt Typ | IGBT | |
| Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo | 1200V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 20mW | |
| Anzahl an Transistoren | 2 | |
| Gehäusegröße | PrimePACKTM2 | |
| Konfiguration | Halbbrücke | |
| Montageart | Schraubanschlussklemme | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Gate-Emitter-Spannung max. VGEO | 20 V | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT | 1.85V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Höhe | 36.5mm | |
| Normen/Zulassungen | IEC 60749, IEC 60068, IEC 60747 | |
| Länge | 89mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic 1600A | ||
Produkt Typ IGBT | ||
Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo 1200V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 20mW | ||
Anzahl an Transistoren 2 | ||
Gehäusegröße PrimePACKTM2 | ||
Konfiguration Halbbrücke | ||
Montageart Schraubanschlussklemme | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Gate-Emitter-Spannung max. VGEO 20 V | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT 1.85V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Höhe 36.5mm | ||
Normen/Zulassungen IEC 60749, IEC 60068, IEC 60747 | ||
Länge 89mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- DE
Das Infineon PrimePACK 2 1200 V 1600 A Dual-IGBT-Modul mit TRENCHSTOP IGBT7 und emittergesteuerter 7-Diode wurde für Hochleistungsanwendungen entwickelt und bietet außergewöhnliche Leistung in einem kompakten und robusten Gehäuse. Es bietet die höchste Leistungsdichte und optimiert den Platzbedarf bei gleichzeitig hervorragender Belastbarkeit. Das Modul verfügt über die klassenbeste VCEsat, die eine niedrige Sättigungsspannung für einen höheren Wirkungsgrad und geringere Energieverluste gewährleistet.
Erhöhung der Leistungsdichte
Geringerer Kühlaufwand bei gleicher Ausgangsleistung
Höherer Ausgangsstrom des Wechselrichters
Vermeidung der Parallelschaltung von IGBT-Modulen
Standardisiertes Gehäuse
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