Infineon IGBT / 50 A ±20V max. 7-fach, 1200 V 20 mW, 23-Pin Modul N-Kanal
- RS Best.-Nr.:
- 232-6713
- Herst. Teile-Nr.:
- FP50R12N2T7BPSA1
- Marke:
- Infineon
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Schale mit 10 Stück)*
CHF.853.55
Vorübergehend ausverkauft
- Versand ab 01. März 2027
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Schale* |
|---|---|---|
| 10 - 10 | CHF.85.355 | CHF.853.59 |
| 20 + | CHF.81.092 | CHF.810.91 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 232-6713
- Herst. Teile-Nr.:
- FP50R12N2T7BPSA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Dauer-Kollektorstrom max. | 50 A | |
| Kollektor-Emitter-Spannung | 1200 V | |
| Gate-Source Spannung max. | ±20V | |
| Verlustleistung max. | 20 mW | |
| Anzahl an Transistoren | 7 | |
| Gehäusegröße | Modul | |
| Konfiguration | 3-phasig | |
| Montage-Typ | Chassismontage | |
| Channel-Typ | N | |
| Pinanzahl | 23 | |
| Transistor-Konfiguration | 3-phasig | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Dauer-Kollektorstrom max. 50 A | ||
Kollektor-Emitter-Spannung 1200 V | ||
Gate-Source Spannung max. ±20V | ||
Verlustleistung max. 20 mW | ||
Anzahl an Transistoren 7 | ||
Gehäusegröße Modul | ||
Konfiguration 3-phasig | ||
Montage-Typ Chassismontage | ||
Channel-Typ N | ||
Pinanzahl 23 | ||
Transistor-Konfiguration 3-phasig | ||
Das dreiphasige PIM-IGBT-Modul EconoPIM 2, 50 A von Infineon wird mit Trenchstop IGBT7, Emitter-gesteuerter 7-Diode und NTC geliefert. Das PIM (Power Integrated Modules) mit Integration von Gleichrichter und Brems-Chopper ermöglicht Kosteneinsparungen. Auch erhältlich mit Pressfit-Technologie. Mögliche Anwendungen umfassen Hilfswechselrichter, Motorantriebe und Servoantriebe.
RoHS-konforme Module
Kupfergrundplatte für optimierte Wärmeverteilung
Hohe Leistungsdichte
Kupfergrundplatte für optimierte Wärmeverteilung
Hohe Leistungsdichte
Verwandte Links
- Infineon IGBT / 50 A ±20V max. 7-fach, 1200 V 20 mW, 23-Pin Modul N-Kanal
- Infineon IGBT / 35 A ±20V max. 7-fach, 1200 V 20 mW, 23-Pin Modul N-Kanal
- Infineon IGBT-Modul / 100 A 20V max. 6-fach, 1200 V 20 mW Modul N-Kanal
- Infineon IGBT / 25 A 20V max. 7-fach, 1200 V 20 mW, 23-Pin EasyPIM N-Kanal
- Infineon IGBT / 15 A 20V max. 7-fach, 1200 V 20 mW, 23-Pin EasyPIM N-Kanal
- Infineon IGBT-Modul / 35 A 20V max. 7-fach, 1200 V 20 mW EASY2B N-Kanal
- Infineon IGBT-Modul / 15 A 20V max. 7-fach, 1200 V 20 mW EASY1B N-Kanal
- Infineon IGBT-Modul / 25 A 20V max. 7-fach, 1200 V 20 mW EASY2B N-Kanal
