Infineon IGBT / 50 A ±20V max. , 1200 V 428 W, 3-Pin To-247-3 N-Kanal
- RS Best.-Nr.:
- 232-6732
- Herst. Teile-Nr.:
- IKW50N120CS7XKSA1
- Marke:
- Infineon
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|---|---|
| 1 - 9 | CHF.8.87 |
| 10 - 24 | CHF.7.62 |
| 25 - 49 | CHF.7.11 |
| 50 - 99 | CHF.6.65 |
| 100 + | CHF.6.12 |
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- RS Best.-Nr.:
- 232-6732
- Herst. Teile-Nr.:
- IKW50N120CS7XKSA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Dauer-Kollektorstrom max. | 50 A | |
| Kollektor-Emitter-Spannung | 1200 V | |
| Gate-Source Spannung max. | ±20V | |
| Verlustleistung max. | 428 W | |
| Anzahl an Transistoren | 1 | |
| Konfiguration | Single | |
| Gehäusegröße | To-247-3 | |
| Montage-Typ | THT | |
| Channel-Typ | N | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Dauer-Kollektorstrom max. 50 A | ||
Kollektor-Emitter-Spannung 1200 V | ||
Gate-Source Spannung max. ±20V | ||
Verlustleistung max. 428 W | ||
Anzahl an Transistoren 1 | ||
Konfiguration Single | ||
Gehäusegröße To-247-3 | ||
Montage-Typ THT | ||
Channel-Typ N | ||
Pinanzahl 3 | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Das diskrete 50-A-Trenchstop-IGBT7-S7-Gehäuse von Infineon wird in TO-247-Gehäuse mit EC7-Diode geliefert. Es bietet einen niedrigen VCEsat, um sehr niedrige Leitungsverluste in Zielanwendungen zu erreichen, und die kogepackte, sehr weiche und schnelle Emitter-gesteuerte Diode hilft, Schaltverluste zu minimieren, die zu insgesamt niedrigen Gesamtverlusten beitragen. Mögliche Anwendungen umfassen industrielle Antriebe, industrielle Netzteile und Solarwechselrichter.
Gute Steuerbarkeit
Voll ausgelegte Freilaufdiode mit verbesserter Weichheit
Höhere Leistungsdichte ohne Kühlkörper-Redesign
Einfache Bauweise zur Erfüllung der EMI-Anforderungen
Voll ausgelegte Freilaufdiode mit verbesserter Weichheit
Höhere Leistungsdichte ohne Kühlkörper-Redesign
Einfache Bauweise zur Erfüllung der EMI-Anforderungen
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