Infineon IGBT-Modul / 1,8 kA ± 20V max. Triple, 4500 V 4000 kW AG-IHVB190 N-Kanal
- RS Best.-Nr.:
- 236-5195
- Herst. Teile-Nr.:
- FZ1800R45HL4BPSA1
- Marke:
- Infineon
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- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Dauer-Kollektorstrom max. | 1,8 kA | |
| Kollektor-Emitter-Spannung | 4500 V | |
| Gate-Source Spannung max. | ± 20V | |
| Anzahl an Transistoren | 3 | |
| Verlustleistung max. | 4000 kW | |
| Konfiguration | Single | |
| Gehäusegröße | AG-IHVB190 | |
| Channel-Typ | N | |
| Abmessungen | 190 x 140 x 38.5mm | |
| Betriebstemperatur min. | -40 °C | |
| Gate-Kapazität | 297nF | |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Dauer-Kollektorstrom max. 1,8 kA | ||
Kollektor-Emitter-Spannung 4500 V | ||
Gate-Source Spannung max. ± 20V | ||
Anzahl an Transistoren 3 | ||
Verlustleistung max. 4000 kW | ||
Konfiguration Single | ||
Gehäusegröße AG-IHVB190 | ||
Channel-Typ N | ||
Abmessungen 190 x 140 x 38.5mm | ||
Betriebstemperatur min. -40 °C | ||
Gate-Kapazität 297nF | ||
Betriebstemperatur max. +150 °C | ||
Infineon IGBT-Modul, 1,8 kA maximaler Kollektor-Dauerstrom, 4500 V maximale Kollektor-Emitter-Spannung - FZ1800R45HL4BPSA1
Dieses IGBT-Modul ist für Hochleistungsanwendungen im Bereich der Leistungselektronik konzipiert. Er zeichnet sich durch einen maximalen Kollektor-Dauerstrom von 1,8 kA und eine Kollektor-Emitter-Spannung von bis zu 4500 V aus und ist damit für anspruchsvolle Umgebungen geeignet. Die Abmessungen dieses kompakten Moduls betragen 190 x 140 x 38,5 mm und ermöglichen eine flexible Integration in verschiedene Systeme.
Eigenschaften und Vorteile
• Hohe DC-Stabilität gewährleistet gleichbleibende Leistung unter schwierigen Bedingungen
• Emittergesteuerte 4-Diode verbessert die Kurzschlussstromfestigkeit
• Niedrige Sättigungsspannung zwischen Kollektor und Emitter verbessert die Energieeffizienz
• Hohe dynamische Robustheit für zuverlässigen Betrieb
• Verbesserte Gate-Kapazität optimiert die Schaltleistung
• Emittergesteuerte 4-Diode verbessert die Kurzschlussstromfestigkeit
• Niedrige Sättigungsspannung zwischen Kollektor und Emitter verbessert die Energieeffizienz
• Hohe dynamische Robustheit für zuverlässigen Betrieb
• Verbesserte Gate-Kapazität optimiert die Schaltleistung
Anwendungen
• Einsatz für Hochleistungsumrichter in industriellen Umgebungen
• Ideal für Mittelspannungsumrichteranlagen
• Geeignet für Stromübertragungs- und -verteilungsnetze
• Ideal für Mittelspannungsumrichteranlagen
• Geeignet für Stromübertragungs- und -verteilungsnetze
Welche Bedeutung hat die Nennspannung zwischen Kollektor und Emitter?
Die Kollektor-Emitter-Spannung von 4500 V stellt sicher, dass das Modul auch in Hochspannungsanwendungen effektiv arbeiten kann, was einen frühzeitigen Ausfall verhindert und eine zuverlässige Leistung gewährleistet.
Wie verbessert das Modul die Energieeffizienz von Stromsystemen?
Eine niedrige Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung trägt zur Verringerung der Energieverluste beim Schalten bei und ist damit ideal für Anwendungen, die eine hohe Energieeffizienz erfordern.
Welche Art von Wärmemanagementlösungen sind darin enthalten?
Das Modul verfügt über eine AlSiC-Grundplatte für eine verbesserte Temperaturwechselfähigkeit, so dass es auch unter schwankenden Temperaturbedingungen effizient arbeitet.
Welchen Nutzen hat die dynamische Robustheit dieses Moduls für die industrielle Automatisierung?
Seine hohe dynamische Robustheit ermöglicht einen zuverlässigen Betrieb unter wechselnden Lastbedingungen und steigert so die Gesamtstabilität und Effizienz industrieller Automatisierungsprozesse.
Kann dieses Modul Kurzschlussbedingungen effektiv handhaben?
Ja, das Design umfasst emittergesteuerte Dioden, die eine ausgezeichnete Kurzschlussfähigkeit bieten, so dass es transiente Bedingungen ohne Schaden überstehen kann.
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