Teile-Nr.

onsemi IGBT / 200 A 15V max. 30-fach, 650 V 268 W TO-247-4LD

RS Best.-Nr.:: 241-0725
Herst. Teile-Nr.:: FGH4L50T65SQD
Marke:: onsemi

onsemi IGBT / 200 A 15V max. 30-fach, 650 V 268 W TO-247-4LD

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RS Best.-Nr.:: 241-0725
Herst. Teile-Nr.:: FGH4L50T65SQD
Marke:: onsemi

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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	onsemi
	Dauer-Kollektorstrom max.	200 A
	Kollektor-Emitter-Spannung	650 V
	Gate-Source Spannung max.	15V
	Verlustleistung max.	268 W
	Anzahl an Transistoren	30
	Gehäusegröße	TO-247-4LD

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	Marke onsemi
	Dauer-Kollektorstrom max. 200 A
	Kollektor-Emitter-Spannung 650 V
	Gate-Source Spannung max. 15V
	Verlustleistung max. 268 W
	Anzahl an Transistoren 30
	Gehäusegröße TO-247-4LD

Datasheet - FGH4L50T65SQD

Der IGBT von ON Semiconductor mit hoher Schaltgeschwindigkeit von 650 V, 80 A FS4. Bietet optimale Leistung durch Ausgleich von Vce(sat) und Eoff-Verlusten und kontrollierbare Turnooff-Vce-Übershoot. Gut geeignet für Solarwechselrichter, USV, EV-Ladestationen, ESS und andere Hochleistungsanwendungen.

Positiver Temperaturkoeffizient
Einfacher Parallelbetrieb
Niedrige Schaltverluste

onsemi IGBT / 200 A 15V max. 30-fach, 650 V 268 W TO-247-4LD

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