onsemi IGBT, 650 V 268 W, 4-Pin TO-247-4LD Oberfläche

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RS Best.-Nr.:
241-0725
Herst. Teile-Nr.:
FGH4L50T65SQD
Marke:
onsemi
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Marke

onsemi

Produkt Typ

IGBT

Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo

650V

Maximale Verlustleistung Pd

268W

Gehäusegröße

TO-247-4LD

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

4

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Emitter-Spannung max. VGEO

15 V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Breite

22.74 mm

Länge

15.8mm

Normen/Zulassungen

RoHS

Serie

FGH4L50T65SQD

Höhe

5.2mm

Automobilstandard

Nein

Der IGBT von ON Semiconductor mit hoher Schaltgeschwindigkeit von 650 V, 80 A FS4. Bietet optimale Leistung durch Ausgleich von Vce(sat) und Eoff-Verlusten und kontrollierbare Turnooff-Vce-Übershoot. Gut geeignet für Solarwechselrichter, USV, EV-Ladestationen, ESS und andere Hochleistungsanwendungen.

Positiver Temperaturkoeffizient

Einfacher Parallelbetrieb

Niedrige Schaltverluste

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