onsemi IGBT, 650 V 268 W, 4-Pin TO-247-4LD Oberfläche
- RS Best.-Nr.:
- 241-0725
- Herst. Teile-Nr.:
- FGH4L50T65SQD
- Marke:
- onsemi
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
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CHF 1'068.30
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Stück | Pro Stück | Pro Stange* |
|---|---|---|
| 450 - 450 | CHF 2.374 | CHF 1'069.44 |
| 900 - 900 | CHF 2.131 | CHF 959.00 |
| 1350 + | CHF 2.081 | CHF 935.82 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 241-0725
- Herst. Teile-Nr.:
- FGH4L50T65SQD
- Marke:
- onsemi
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Produkt Typ | IGBT | |
| Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo | 650V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 268W | |
| Gehäusegröße | TO-247-4LD | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 4 | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Emitter-Spannung max. VGEO | 15 V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Länge | 15.8mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Breite | 22.74mm | |
| Serie | FGH4L50T65SQD | |
| Höhe | 5.2mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Produkt Typ IGBT | ||
Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo 650V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 268W | ||
Gehäusegröße TO-247-4LD | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 4 | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Emitter-Spannung max. VGEO 15 V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Länge 15.8mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Breite 22.74mm | ||
Serie FGH4L50T65SQD | ||
Höhe 5.2mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der IGBT von ON Semiconductor mit hoher Schaltgeschwindigkeit von 650 V, 80 A FS4. Bietet optimale Leistung durch Ausgleich von Vce(sat) und Eoff-Verlusten und kontrollierbare Turnooff-Vce-Übershoot. Gut geeignet für Solarwechselrichter, USV, EV-Ladestationen, ESS und andere Hochleistungsanwendungen.
Positiver Temperaturkoeffizient
Einfacher Parallelbetrieb
Niedrige Schaltverluste
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