Teile-Nr.

onsemi IGBT / 80 A 20V max. 30-fach, 650 V 268 W TO-247-3L

RS Best.-Nr.:: 241-0732
Herst. Teile-Nr.:: FGHL50T65MQDT
Marke:: onsemi

onsemi IGBT / 80 A 20V max. 30-fach, 650 V 268 W TO-247-3L

Zwischensumme (1 Stück)*

CHF.4.683

Auf Lager

334 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort

Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.

Stück	Pro Stück
1 +	CHF.4.68

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:: 241-0732
Herst. Teile-Nr.:: FGHL50T65MQDT
Marke:: onsemi

Technische Daten

Mehr Infos und technische Dokumente

Rechtliche Anforderungen

Produktdetails

Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.

Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	onsemi
	Dauer-Kollektorstrom max.	80 A
	Kollektor-Emitter-Spannung	650 V
	Gate-Source Spannung max.	20V
	Verlustleistung max.	268 W
	Anzahl an Transistoren	30
	Gehäusegröße	TO-247-3L

	Alle auswählen
	Marke onsemi
	Dauer-Kollektorstrom max. 80 A
	Kollektor-Emitter-Spannung 650 V
	Gate-Source Spannung max. 20V
	Verlustleistung max. 268 W
	Anzahl an Transistoren 30
	Gehäusegröße TO-247-3L

Datasheet - FGHL50T65MQDT

Der IGBT von ON Semiconductor mit mittlerer Schaltgeschwindigkeit von 650 V, 50 A FS4. Bietet optimale Leistung durch Ausgleich von Vce(sat) und Eoff-Verlusten und kontrollierbare Turnooff-Vce-Übershoot. Gut geeignet für Solarwechselrichter, USV, EV-Ladestationen, ESS und andere Hochleistungsanwendungen.

Positiver Temperaturkoeffizient
Einfacher Parallelbetrieb
Niedrige Schaltverluste
Niedrige Leitungsverluste

onsemi IGBT / 80 A 20V max. 30-fach, 650 V 268 W TO-247-3L

Verwandte Links