Infineon IGBT-Modul, 1200 V 515 W

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

Alle IGBT anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Stück)*

CHF.215.46

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Vorübergehend ausverkauft
  • 10 Einheit(en) mit Versand ab 16. April 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
1 - 1CHF.215.46
2 - 2CHF.211.15
3 +CHF.190.04

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
244-5377
Herst. Teile-Nr.:
FP100R12KT4B11BOSA1
Marke:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Produkt Typ

IGBT-Modul

Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo

1200V

Anzahl an Transistoren

7

Maximale Verlustleistung Pd

515W

Betriebstemperatur min.

-40°C

Gate-Emitter-Spannung max. VGEO

20 V

Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT

2.1V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Länge

122mm

Breite

62 mm

Serie

FP100R12KT4B11

Normen/Zulassungen

RoHS

Höhe

17mm

Automobilstandard

Nein

Das Infineon IGBT-Modul ist für Hilfswechselrichter, Motorantriebe und Servoantriebe usw. geeignet

Elektrische Eigenschaften

Niedrige Schaltverluste

TVJ op = 150 °C

VCEsat mit positivem Temperaturkoeffizient

Geringe VCEsat

Mechanische Eigenschaften

Hohe Leistung und thermische Schaltleistung

Interner NTC-Temperatursensor

Kupfergrundplatte

Presssitz-Kontakttechnologie

Standardgehäuse

Verwandte Links