Infineon IGBT-Modul, 1200 V 130 W

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Schale mit 24 Stück)*

CHF.915.312

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Vorübergehend ausverkauft
  • Versand ab 06. Juli 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Schale*
24 - 24CHF.38.138CHF.915.32
48 +CHF.36.229CHF.869.56

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:
244-5385
Herst. Teile-Nr.:
FP15R12W1T4BOMA1
Marke:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Produkt Typ

IGBT-Modul

Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo

1200V

Maximale Verlustleistung Pd

130W

Anzahl an Transistoren

7

Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT

2.25V

Betriebstemperatur min.

-40°C

Gate-Emitter-Spannung max. VGEO

20 V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Höhe

12mm

Serie

FP15R12W1T4B

Normen/Zulassungen

RoHS

Länge

62.8mm

Breite

33.8 mm

Automobilstandard

Nein

Das Infineon IGBT-Modul ist für Hilfswechselrichter, Motorantriebe und Klimaanlagen usw. geeignet

Elektrische Eigenschaften

Geringe Schaltverluste, geringe induktive Bauweise

Trench-IGBT 3

VCEsat mit positivem Temperaturkoeffizient

Geringe VCEsat

Mechanische Eigenschaften

Al2O3-Substrat mit niedrigem Wärmewiderstand

Kompaktes Design

Lötkontakttechnologie

Robuste Montage durch integrierte Montageklemmen

Verwandte Links