Infineon IGBT-Modul / 39 A +/-20V max. 7-fach, 1200 V 175 W
- RS Best.-Nr.:
- 244-5392
- Herst. Teile-Nr.:
- FP25R12W2T4BOMA1
- Marke:
- Infineon
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Stück | Pro Stück | Pro Schale* |
|---|---|---|
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| 30 + | CHF.34.052 | CHF.510.71 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 244-5392
- Herst. Teile-Nr.:
- FP25R12W2T4BOMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Dauer-Kollektorstrom max. | 39 A | |
| Kollektor-Emitter-Spannung | 1200 V | |
| Gate-Source Spannung max. | +/-20V | |
| Anzahl an Transistoren | 7 | |
| Verlustleistung max. | 175 W | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Dauer-Kollektorstrom max. 39 A | ||
Kollektor-Emitter-Spannung 1200 V | ||
Gate-Source Spannung max. +/-20V | ||
Anzahl an Transistoren 7 | ||
Verlustleistung max. 175 W | ||
Das Infineon IGBT-Modul hat einen maximalen Nennwert für sich wiederholenden Peak Kollektor-Strom von 50 A und einen maximalen Kollektor-Emitter-Sättigungsvoltag von 2,25 V, Gate-Schwellenspannung von 6,4 V.
Kollektor-Emitter-Abschaltstrom 1,0 mA
Temperatur unter Schaltbedingungen 150 °C.
Gate-Emitter-Leckstrom 400 nA
Umgekehrte Übertragungskapazität 0,05 NF
Temperatur unter Schaltbedingungen 150 °C.
Gate-Emitter-Leckstrom 400 nA
Umgekehrte Übertragungskapazität 0,05 NF
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