Infineon IGBT-Modul / 200 A, 1200 V 700 W EconoPACKTM3

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RS Best.-Nr.:
244-5404
Herst. Teile-Nr.:
FS150R12KT3BOSA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

IGBT-Modul

Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic

200A

Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo

1200V

Maximale Verlustleistung Pd

700W

Anzahl an Transistoren

6

Gehäusegröße

EconoPACKTM3

Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT

2.15V

Gate-Emitter-Spannung max. VGEO

20 V

Betriebstemperatur min.

-40°C

Maximale Betriebstemperatur

125°C

Normen/Zulassungen

No

Serie

FS150R12KT3

Automobilstandard

Nein

Das Infineon IGBT-Modul hat einen maximalen Nennwert für sich wiederholenden Peak Kollektor-Strom von 300 A und ein Kollektor-Emitter-Sättigungsvoltag von 2,15 V, Gate-Schwellenspannung von 6,5 V.

Kollektor-Emitter-Abschaltstrom 5,0 mA

Temperatur unter Schaltbedingungen: 125 °C.

Gate-Emitter-Leckstrom 400 nA

Umgekehrte Übertragungskapazität NF

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