Teile-Nr.

Infineon IGBT-Modul, 1200 V 385 W EconoPIM

RS Best.-Nr.:: 244-5851
Herst. Teile-Nr.:: FP75R12KT4BOSA1
Marke:: Infineon

Infineon IGBT-Modul, 1200 V 385 W EconoPIM

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RS Best.-Nr.:: 244-5851
Herst. Teile-Nr.:: FP75R12KT4BOSA1
Marke:: Infineon

Technische Daten

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Rechtliche Anforderungen

Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Produkt Typ	IGBT-Modul
	Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo	1200V
	Anzahl an Transistoren	7
	Maximale Verlustleistung Pd	385W
	Gehäusegröße	EconoPIM
	Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT	2.15V
	Betriebstemperatur min.	-40°C
	Gate-Emitter-Spannung max. VGEO	20 V
	Maximale Betriebstemperatur	150°C
	Breite	62.5 mm
	Länge	122mm
	Höhe	17mm
	Normen/Zulassungen	RoHS
	Serie	FP75R12KT4B
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke Infineon
	Produkt Typ IGBT-Modul
	Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo 1200V
	Anzahl an Transistoren 7
	Maximale Verlustleistung Pd 385W
	Gehäusegröße EconoPIM
	Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT 2.15V
	Betriebstemperatur min. -40°C
	Gate-Emitter-Spannung max. VGEO 20 V
	Maximale Betriebstemperatur 150°C
	Breite 62.5 mm
	Länge 122mm
	Höhe 17mm
	Normen/Zulassungen RoHS
	Serie FP75R12KT4B
	Automobilstandard Nein

Datasheet - FP75R12KT4BOSA1

The infineon IGBT module the maximum rated collector emitter voltage is 1200 V and toatal power dissipation is 355 W, maximum gate threshold voltage is 6,5 V.

Internal isolation basic insulation (class 1, IEC 61140)

Gate-emitter peak voltage + /- 20 V

Collector-emitter saturation voltage 2,15 V

Gate-emitter leakage current 400 nA

Infineon IGBT-Modul, 1200 V 385 W EconoPIM

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