Infineon IGBT-Modul, 1200 V 385 W EconoPIM
- RS Best.-Nr.:
- 244-5851
- Herst. Teile-Nr.:
- FP75R12KT4BOSA1
- Marke:
- Infineon
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- RS Best.-Nr.:
- 244-5851
- Herst. Teile-Nr.:
- FP75R12KT4BOSA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | IGBT-Modul | |
| Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo | 1200V | |
| Anzahl an Transistoren | 7 | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 385W | |
| Gehäusegröße | EconoPIM | |
| Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT | 2.15V | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Gate-Emitter-Spannung max. VGEO | 20 V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Breite | 62.5 mm | |
| Serie | FP75R12KT4B | |
| Höhe | 17mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Länge | 122mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ IGBT-Modul | ||
Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo 1200V | ||
Anzahl an Transistoren 7 | ||
Maximale Verlustleistung Pd 385W | ||
Gehäusegröße EconoPIM | ||
Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT 2.15V | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Gate-Emitter-Spannung max. VGEO 20 V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Breite 62.5 mm | ||
Serie FP75R12KT4B | ||
Höhe 17mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Länge 122mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
The infineon IGBT module the maximum rated collector emitter voltage is 1200 V and toatal power dissipation is 355 W, maximum gate threshold voltage is 6,5 V.
Internal isolation basic insulation (class 1, IEC 61140)
Gate-emitter peak voltage + /- 20 V
Collector-emitter saturation voltage 2,15 V
Gate-emitter leakage current 400 nA