Infineon IGBT-Modul, 1.2 kV 385 W EconoPIM
- RS Best.-Nr.:
- 244-5854
- Herst. Teile-Nr.:
- FP75R12KT4BOSA1
- Marke:
- Infineon
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- RS Best.-Nr.:
- 244-5854
- Herst. Teile-Nr.:
- FP75R12KT4BOSA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | IGBT-Modul | |
| Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo | 1.2kV | |
| Anzahl an Transistoren | 7 | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 385W | |
| Gehäusegröße | EconoPIM | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Gate-Emitter-Spannung max. VGEO | 20 V | |
| Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT | 2.15V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Serie | FP75R12KT4B | |
| Länge | 122mm | |
| Höhe | 17mm | |
| Breite | 62.5mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ IGBT-Modul | ||
Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo 1.2kV | ||
Anzahl an Transistoren 7 | ||
Maximale Verlustleistung Pd 385W | ||
Gehäusegröße EconoPIM | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Gate-Emitter-Spannung max. VGEO 20 V | ||
Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT 2.15V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Serie FP75R12KT4B | ||
Länge 122mm | ||
Höhe 17mm | ||
Breite 62.5mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
Infineon FP75R12KT4B Serie IGBT-Modul, 385 W maximale Verlustleistung, 1200 V maximale Kollektor-Emitter-Spannung - FP75R12KT4BOSA1
Dieses IGBT-Modul ist eine Leistungshalbleiterbaugruppe, die zum Schalten und Steuern von Hochspannungs-Gleichstrom in industriellen Wandlern und Motorantrieben entwickelt wurde. Er wird in einem kompakten EconoPIM-Gehäuse geliefert, das für die Integration in Leistungselektroniksysteme vorgesehen ist, und arbeitet über einen breiten thermischen Bereich, der für anspruchsvolle Umgebungen geeignet ist.
Merkmale und Vorteile:
• 1200 V Blockierfähigkeit für Hochspannungsschaltanwendungen
• Verlustleistung von 385 W zur Bewältigung erheblicher Verlustleistung
• 2,15 V VCE(sat) reduziert Leitungsverluste im eingeschalteten Zustand
• 20 V Gate-Emitter-Toleranz für robuste Gate-Drive-Margen
• Sieben-Transistor-Konfiguration ermöglicht Multi-Switch-Topologien
• RoHS-konforme Konstruktion für geregelte Materialanforderungen
• Verlustleistung von 385 W zur Bewältigung erheblicher Verlustleistung
• 2,15 V VCE(sat) reduziert Leitungsverluste im eingeschalteten Zustand
• 20 V Gate-Emitter-Toleranz für robuste Gate-Drive-Margen
• Sieben-Transistor-Konfiguration ermöglicht Multi-Switch-Topologien
• RoHS-konforme Konstruktion für geregelte Materialanforderungen
Anwendungsbereich
• Geeignet für industrielle Hochspannungsmotorantriebe
• Einsatz mit dreiphasigen Frequenzumrichtern in Fabriken
• Ideal für Hochleistungs-DC/DC-Wandlungsmodule
• Kann für mittelspannungsfähige Antriebselektroden verwendet werden
• Wird für Stromversorgungen verwendet, die mehrere Schaltelemente erfordern
• Einsatz mit dreiphasigen Frequenzumrichtern in Fabriken
• Ideal für Hochleistungs-DC/DC-Wandlungsmodule
• Kann für mittelspannungsfähige Antriebselektroden verwendet werden
• Wird für Stromversorgungen verwendet, die mehrere Schaltelemente erfordern
Welchen extremen Temperaturen kann das Gerät während des Betriebs standhalten?
Er ist für den Betrieb von -40 °C bis zu einer maximalen Betriebstemperatur von 150 °C ausgelegt.
Wie viele Schaltelementen sind in das Gehäuse integriert?
Das Modul enthält sieben Transistoren für mehrpolige oder parallele Schaltanordnungen.
Was sind die physischen Ummantelungsmessungen für die Montage?
Das Gehäuse misst 122 mm in der Länge, 62,5 mm in der Breite und 17 mm in der Höhe.
Erfüllt das Modul die Anforderungen an Materialbeschränkungen für die Fertigung?
Er entspricht den RoHS-Normen, die bestimmte gefährliche Stoffe einschränken.