onsemi IGBT-Modul 156 W Q1BOOST Oberfläche

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RS Best.-Nr.:
245-6983
Herst. Teile-Nr.:
NXH40B120MNQ1SNG
Marke:
onsemi
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Marke

onsemi

Produkt Typ

IGBT-Modul

Anzahl an Transistoren

3

Maximale Verlustleistung Pd

156W

Gehäusegröße

Q1BOOST

Montageart

Oberfläche

Betriebstemperatur min.

-40°C

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Länge

55.2mm

Höhe

13.9mm

Normen/Zulassungen

RoHS

Serie

NXH40B120MNQ1SNG

Automobilstandard

Nein

Voll-SiC-MOSFET-Modul | EliteSiC Dreikanal-Voll-SiC-Boost, 1200 V, 40 mohm SiC-MOSFET + 1200 V, 40 A SiC-Diode, vernickeltes DBC


Das on Semiconductor NXH40B120MNQ1SNG ist ein Leistungsmodul mit einer dreikanaligen Boost-Stufe. Die integrierten SiC-MOSFETs und SiC-Dioden bieten geringere Leitungsverluste und Schaltverluste, sodass Entwickler einen hohen Wirkungsgrad und eine überlegene Zuverlässigkeit erreichen können.

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