onsemi IGBT-Modul 118 W Q0PACK – Gehäuse 180AJ Oberfläche
- RS Best.-Nr.:
- 245-6981
- Herst. Teile-Nr.:
- NXH40B120MNQ0SNG
- Marke:
- onsemi
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Zwischensumme (1 Schale mit 24 Stück)*
CHF.2'062.632
Vorübergehend ausverkauft
- Versand ab 03. Juli 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Schale* |
|---|---|---|
| 24 + | CHF.85.943 | CHF.2'062.57 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 245-6981
- Herst. Teile-Nr.:
- NXH40B120MNQ0SNG
- Marke:
- onsemi
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Produkt Typ | IGBT-Modul | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 118W | |
| Anzahl an Transistoren | 2 | |
| Gehäusegröße | Q0PACK – Gehäuse 180AJ | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Höhe | 13.9mm | |
| Serie | NXH40B120MNQ0SNG | |
| Länge | 55.2mm | |
| Breite | 32.8 mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Produkt Typ IGBT-Modul | ||
Maximale Verlustleistung Pd 118W | ||
Anzahl an Transistoren 2 | ||
Gehäusegröße Q0PACK – Gehäuse 180AJ | ||
Montageart Oberfläche | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Höhe 13.9mm | ||
Serie NXH40B120MNQ0SNG | ||
Länge 55.2mm | ||
Breite 32.8 mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Voll-SiC-MOSFET-Modul | EliteSiC Zweikanal-Voll-SiC-Boost, 1200 V, 40 mohm SiC-MOSFET + 1200 V, 40 A SiC-Diode, vernickeltes DBC
Das on Semiconductor 3-Kanal-Boost Q1-Stromversorgungsmodul ist ein Stromversorgungsmodul mit einer zweifachen Boost-Stufe. Die integrierten SiC-MOSFETs und SiC-Dioden bieten geringere Leitungsverluste und Schaltverluste, sodass Entwickler einen hohen Wirkungsgrad und eine überlegene Zuverlässigkeit erreichen können.
1200 V 40 m SiC MOSFETs
SiC-Dioden mit niedriger Rückwärtsrückgewinnung und schneller Schaltung
1200-V-Bypass- und antiparallele Dioden
Lötbare Stifte Thermistor mit niedrigem induktivem Layout
Dieses Gerät ist bleifrei, halogenfrei/BFR-frei und RoHS-konform
Verwandte Links
- onsemi IGBT-Modul Dual 118 W Q0PACK - Gehäuse 180AJ (bleifreie und halogenfreie Lötstifte)
- onsemi IGBT-Modul Dual 69 W Q0BOOST - Gehäuse 180AJ (bleifreie und halogenfreie Lötstifte)
- onsemi IGBT-Modul / 61 A ±20V max. Dual, 1200 V 186 W Gehäuse 180AJ (bleifrei und halogenfrei) Lötstifte
- onsemi IGBT-Modul / 101 A ±20V max. Dual, 1000 V 79 W Q2BOOST - Gehäuse 180BR (bleifreie und halogenfreie Lötstifte)
- onsemi IGBT-Modul / 75 A ±20V max. Quad, 1200 V 188 W Q0PACK - Gehäuse 180AB (bleifrei und halogenfrei)
- onsemi IGBT-Modul / 73 A ±20V max. 6-fach, 1000 V 79 W 93x47 (LÖTPIN) (bleifreie und halogenfreie Lötstifte), Q2BOOST -
- onsemi IGBT-Modul Triple 156 W 3-Kanal-BOOST Q1 - Gehäuse 180 BQ Lötstifte (bleifrei)
- onsemi IGBT-Modul / 61 A ±20V max. Dual, 1200 V 186 W Gehäuse 180BF (bleifrei und halidefrei) Pressstifte
