onsemi IGBT-Modul, 1000 V 79 W Q2BOOST – Gehäuse 180BR Oberfläche

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RS Best.-Nr.:
245-6987
Herst. Teile-Nr.:
NXH450B100H4Q2F2SG
Marke:
onsemi
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Marke

onsemi

Produkt Typ

IGBT-Modul

Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo

1000V

Maximale Verlustleistung Pd

79W

Anzahl an Transistoren

2

Gehäusegröße

Q2BOOST – Gehäuse 180BR

Montageart

Oberfläche

Gate-Emitter-Spannung max. VGEO

20 V

Betriebstemperatur min.

-40°C

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Serie

NXH450B100H4Q2F2SG

Breite

47.3 mm

Normen/Zulassungen

RoHS

Höhe

12.3mm

Länge

93.1mm

Automobilstandard

Nein

Das on Semiconductor Q2BOOST-Modul ist ein symmetrisches Si- oder SiC-Hybrid-Boost-Modul mit drei Kanälen. Jeder Kanal enthält zwei 1000-V-, 150-A-IGBTs, zwei 1200-V-, 30-A-SiC-Dioden und zwei 1600-V-, 30-A-Bypass-Dioden. Das Modul enthält einen NTC-Heißleiter.

Silizium- oder SiC-Hybrid-Technologie maximiert die Leistungsdichte

Geringe Schaltverluste reduzieren die Verlustleistung des Systems

Niedrige induktive Anordnung

Presssitz- und Lötstiftoptionen

Dieses Gerät ist bleifrei, halogenfrei und RoHS-konform

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