onsemi IGBT-Modul / 101 A ±20V max. Dual, 1000 V 79 W Q2BOOST - Gehäuse 180BG (bleifreie und halidefreie

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

Alle IGBT anzeigen

Zwischensumme (1 Schale mit 36 Stück)*

CHF.5’058.036

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • 36 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Schale*
36 +CHF.140.501CHF.5’057.98

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:
245-6985
Herst. Teile-Nr.:
NXH450B100H4Q2F2PG
Marke:
onsemi
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

onsemi

Dauer-Kollektorstrom max.

101 A

Kollektor-Emitter-Spannung

1000 V

Gate-Source Spannung max.

±20V

Verlustleistung max.

79 W

Anzahl an Transistoren

2

Gehäusegröße

Q2BOOST - Gehäuse 180BG (bleifreie und halidefreie Presspassstifte)

Das on Semiconductor Q2BOOST-Modul ist ein symmetrisches Si- oder SiC-Hybrid-Boost-Modul mit drei Kanälen. Jeder Kanal enthält zwei 1000-V-, 150-A-IGBTs, zwei 1200-V-, 30-A-SiC-Dioden und zwei 1600-V-, 30-A-Bypass-Dioden. Das Modul enthält einen NTC-Heißleiter.

Silizium- oder SiC-Hybrid-Technologie maximiert die Leistungsdichte
Geringe Schaltverluste reduzieren die Verlustleistung des Systems
Niedrige induktive Anordnung
Presssitz- und Lötstiftoptionen
Dieses Gerät ist bleifrei, halogenfrei und RoHS-konform

Verwandte Links