onsemi IGBT-Modul / 303 A ±20V max. Quad, 1000 V 592 W Q2PACK (bleifrei/halogenfrei)
- RS Best.-Nr.:
- 245-6973
- Herst. Teile-Nr.:
- NXH350N100H4Q2F2P1G
- Marke:
- onsemi
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
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|---|---|---|
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- RS Best.-Nr.:
- 245-6973
- Herst. Teile-Nr.:
- NXH350N100H4Q2F2P1G
- Marke:
- onsemi
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Dauer-Kollektorstrom max. | 303 A | |
| Kollektor-Emitter-Spannung | 1000 V | |
| Gate-Source Spannung max. | ±20V | |
| Anzahl an Transistoren | 4 | |
| Verlustleistung max. | 592 W | |
| Gehäusegröße | Q2PACK (bleifrei/halogenfrei) | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Dauer-Kollektorstrom max. 303 A | ||
Kollektor-Emitter-Spannung 1000 V | ||
Gate-Source Spannung max. ±20V | ||
Anzahl an Transistoren 4 | ||
Verlustleistung max. 592 W | ||
Gehäusegröße Q2PACK (bleifrei/halogenfrei) | ||
Si/SiC-Hybridmodul - EliteSiC, I-Typ NPC 1000 V, 350 A IGBT, 1200 V, 100 A SiC-Diode, Q2-Gehäuse, Einpressstifte
Das on Semiconductor Three Level NPC Q2Pack Modul ist ein integriertes Leistungsmodul mit hoher Dichte, das leistungsstarke IGBTs mit robusten, antiparallelen Dioden kombiniert.
Äußerst effizienter Graben mit Feldstopp-Technologie
Geringe Schaltverluste reduzieren die Verlustleistung des Systems
Das Moduldesign bietet eine hohe Leistungsdichte
Niedrige induktive Anordnung
Niedrige Gehäusehöhe
Diese Geräte sind bleifrei, halogenfrei und RoHS-konform
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Das Moduldesign bietet eine hohe Leistungsdichte
Niedrige induktive Anordnung
Niedrige Gehäusehöhe
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