onsemi IGBT-Modul / 73 A ±20V max. 6-fach, 1000 V 79 W 93x47 (Presspassung) (bleifreie und halidefreie
- RS Best.-Nr.:
- 245-6969
- Herst. Teile-Nr.:
- NXH300B100H4Q2F2PG
- Marke:
- onsemi
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- onsemi
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Dauer-Kollektorstrom max. | 73 A | |
| Kollektor-Emitter-Spannung | 1000 V | |
| Gate-Source Spannung max. | ±20V | |
| Verlustleistung max. | 79 W | |
| Anzahl an Transistoren | 6 | |
| Gehäusegröße | 93x47 (Presspassung) (bleifreie und halidefreie Presssitzstifte), Q2BOOST - PIM53 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Dauer-Kollektorstrom max. 73 A | ||
Kollektor-Emitter-Spannung 1000 V | ||
Gate-Source Spannung max. ±20V | ||
Verlustleistung max. 79 W | ||
Anzahl an Transistoren 6 | ||
Gehäusegröße 93x47 (Presspassung) (bleifreie und halidefreie Presssitzstifte), Q2BOOST - PIM53 | ||
Das on Semiconductor Q2BOOST-Modul ist ein integriertes Leistungsmodul mit hoher Dichte, das leistungsstarke IGBTs mit einer 1200-V-SiC-Diode kombiniert.
Extrem effizienter Trench mit Feldstopp-Technologie
Geringe Schaltverluste reduzieren die Verlustleistung des Systems
Das Moduldesign bietet eine hohe Leistungsdichte
Niedrige induktive Anordnung
3 Kanäle im Q2BOOST-Gehäuse
Dies sind bleifreie Geräte
Geringe Schaltverluste reduzieren die Verlustleistung des Systems
Das Moduldesign bietet eine hohe Leistungsdichte
Niedrige induktive Anordnung
3 Kanäle im Q2BOOST-Gehäuse
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